Отрывок: Проведены исследования по облучению ТПР в различных газах (аргон, воздух, кислород). Разработана технология ионно-электронно­ го отжига ТПР, позволяющая значительно уменьшить время процесса 108 109 отжига ТПР, осуществлять корректировку сопротивления до ±25$, уменьшить ТКС до 0,5.ГО-5 1/°С, уменьшить разброс значений сопро­ тивлений, изготавливаемых на одной подложке. РАЗРАБОТКА ПРОГРАММ РАСЧЕТА КОНСТРУКТИВНЫХ ПАРАМЕТРОВ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ МИКРОСХЕМ НА ПРОГРАММ...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorГусенков В. А.ru
dc.contributor.authorКричевский С. В.ru
dc.coverage.spatialэлектрические параметры тонкопленочных резисторовru
dc.coverage.spatialионно-электронный отжигru
dc.coverage.spatialионно-электронные потокиru
dc.coverage.spatialтонкопленочные резисторыru
dc.creatorГусенков В. А.ru
dc.date.issued1995ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\533917ru
dc.identifier.citationГусенков, В. А. Исследование влияния ионно-электронного отжига на электрические параметры тонкопленочных резисторов / В. А. Гусенков ; науч. руководитель С. В. Кричевский // Королевские чтения : всерос. студ. науч. конф. : тез. докл., [Самара, 4-5 окт. 1995г.] / Гос. ком. Рос. Федерации по высш. образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; ред. В. Г. Шахов. - Самара : [СГАУ], 1995. - С. 108-109.ru
dc.sourceКоролевские чтения : всерос. студ. науч. конф : тез. докл., [Самара, 4-5 окт. 1995г.]. - Текст : электронныйru
dc.titleИсследование влияния ионно-электронного отжига на электрические параметры тонкопленочных резисторовru
dc.typeTextru
dc.citation.epage109ru
dc.citation.spage108ru
dc.textpartПроведены исследования по облучению ТПР в различных газах (аргон, воздух, кислород). Разработана технология ионно-электронно­ го отжига ТПР, позволяющая значительно уменьшить время процесса 108 109 отжига ТПР, осуществлять корректировку сопротивления до ±25$, уменьшить ТКС до 0,5.ГО-5 1/°С, уменьшить разброс значений сопро­ тивлений, изготавливаемых на одной подложке. РАЗРАБОТКА ПРОГРАММ РАСЧЕТА КОНСТРУКТИВНЫХ ПАРАМЕТРОВ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ МИКРОСХЕМ НА ПРОГРАММ...-
Располагается в коллекциях: Королевские чтения

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Стр.-108-109.pdf70.96 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.