Отрывок: Проведены исследования по облучению ТПР в различных газах (аргон, воздух, кислород). Разработана технология ионно-электронно­ го отжига ТПР, позволяющая значительно уменьшить время процесса 108 109 отжига ТПР, осуществлять корректировку сопротивления до ±25$, уменьшить ТКС до 0,5.ГО-5 1/°С, уменьшить разброс значений сопро­ тивлений, изготавливаемых на одной подложке. РАЗРАБОТКА ПРОГРАММ РАСЧЕТА КОНСТРУКТИВНЫХ ПАРАМЕТРОВ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ МИКРОСХЕМ НА ПРОГРАММ...
Название : Исследование влияния ионно-электронного отжига на электрические параметры тонкопленочных резисторов
Авторы/Редакторы : Гусенков В. А.
Кричевский С. В.
Дата публикации : 1995
Библиографическое описание : Гусенков, В. А. Исследование влияния ионно-электронного отжига на электрические параметры тонкопленочных резисторов / В. А. Гусенков ; науч. руководитель С. В. Кричевский // Королевские чтения : всерос. студ. науч. конф. : тез. докл., [Самара, 4-5 окт. 1995г.] / Гос. ком. Рос. Федерации по высш. образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; ред. В. Г. Шахов. - Самара : [СГАУ], 1995. - С. 108-109.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\533917
Ключевые слова: электрические параметры тонкопленочных резисторов
ионно-электронный отжиг
ионно-электронные потоки
тонкопленочные резисторы
Располагается в коллекциях: Королевские чтения

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Стр.-108-109.pdf70.96 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.