Отрывок: , 4 exp ,,exp 2 2 21 1 2 1 zzidzpi p C zzzdzp p C z z z z   (5) Константы в решениях под барьером и после выхода электрона из-под барьера связаны соотношением           2 1 exp 12 z z dzpCC . (6) Тогда, после сшивания решений, в подходе Бете для вероятности туннелирования получим Компьютерная оптика и нанофотоника А.А. Дробышев, П.А. Головинский и другие V Международная конференция и молодёжная школа «Информационные ...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorДробышев, А.А.-
dc.contributor.authorГоловинский, П.А.-
dc.contributor.authorПреображенский, М.А.-
dc.contributor.authorМихин, Е.А.-
dc.contributor.authorDrobyshev, A.A.-
dc.contributor.authorGolovinski, P.A.-
dc.contributor.authorPreobrazhenskii, M.A.-
dc.contributor.authorMikhin, E.A.-
dc.date.accessioned2019-04-23 17:19:45-
dc.date.available2019-04-23 17:19:45-
dc.date.issued2019-
dc.identifierDspace\SGAU\20190422\75778ru
dc.identifier.citationДробышев А.А. Туннельный отрыв электрона из потенциала изображения в слабом электрическом поле / А.А. Дробышев, П.А. Головинский, М.А. Преображенский, Е.А. Михин // Сборник трудов ИТНТ-2019 [Текст] : V междунар. конф. и молодеж. шк. "Информ. технологии и нанотехнологии" : 21-24 мая : в 4 т. / Самар. нац.-исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем. обраб. изобр. РАН-фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН ; [под ред. Р. В. Скиданова]. - Самара: Новая техника, 2019. - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоника. - 2019. - С. 424-427.ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Tunnelnyi-otryv-elektrona-iz-potenciala-izobrazheniya-v-slabom-elektricheskom-pole-75778-
dc.description.abstractРассмотрен распад связанных состояний электрона в потенциале изображения под действием однородного электрического поля. Решение задачи проведено квазиклассическим методом на основе согласования точного решения уравнения Шредингера для одномерного кулоновского потенциала вблизи металла и асимптотического квазиклассического выражения для волновой функции в подбарьерной области, переходящего в область неограниченного движения. Получены выражения для вероятности туннельного отрыва в единицу времени. Методом усреднения по периоду получена вероятность отрыва электрона низкочастотным электрическим полем. The decay of bound states of an electron in the image potential under the action of a uniform electric field is considered. The problem was solved by a semiclassical method based on the agreement of the exact solution of the Schrödinger equation for a one-dimensional Coulomb potential near the metal and an asymptotic semiclassical expression for the wave function in the subbarrier region. The expressions for the probability of a tunnel separation of an electron in a constant and low-frequency electric field are obtained.ru
dc.language.isorusru
dc.publisherИзд-во «Новая техника»ru
dc.titleТуннельный отрыв электрона из потенциала изображения в слабом электрическом полеru
dc.title.alternativeThe electron tunneling from image potential in a weak electric fieldru
dc.typeArticleru
dc.textpart, 4 exp ,,exp 2 2 21 1 2 1 zzidzpi p C zzzdzp p C z z z z   (5) Константы в решениях под барьером и после выхода электрона из-под барьера связаны соотношением           2 1 exp 12 z z dzpCC . (6) Тогда, после сшивания решений, в подходе Бете для вероятности туннелирования получим Компьютерная оптика и нанофотоника А.А. Дробышев, П.А. Головинский и другие V Международная конференция и молодёжная школа «Информационные ...-
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
paper74.pdf436.34 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.