Отрывок: Otherwise, the formation of the desired figures may not begin. After that, air was pumped out of the chamber. The state of vacuum was obtained by two pumps: air and liquid. After selecting the parameters, the process was started. The ratio of gases was equal to one to one, the time of etching was equal to 3.5 seconds, passivation - 2.1 seconds. During the experiment, to obtain the result, four cycles of 20 Bosch-process cycles were performed. Bet...
Название : Synthesis of silicon nanowires using plasma chemical etching process for solar cell applications
Авторы/Редакторы : Juneja, S.
Pavelyev, V.S.
Mokshin, P.V.
Дата публикации : 2019
Издательство : Изд-во «Новая техника»
Библиографическое описание : Juneja S. Synthesis of silicon nanowires using plasma chemical etching process for solar cell applications / S. Juneja, V.S. Pavelyev, P.V. Mokshin // Сборник трудов ИТНТ-2019 [Текст] : V междунар. конф. и молодеж. шк. "Информ. технологии и нанотехнологии" : 21-24 мая : в 4 т. / Самар. нац.-исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем. обраб. изобр. РАН-фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН ; [под ред. Р. В. Скиданова]. - Самара: Новая техника, 2019. - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоника. - 2019. - С. 133-136.
Аннотация : Recently, research on silicon nanowire solar cells has been developed rapidly and is one of the very young research field. The production of highly oriented long silicon nanowires is an challenging problem. Here, in this article we report the optimization of successful synthesis of highly oriented, long silicon nanowires on silicon substrates by plasma chemical etching process. The produced silicon structures were first examined using scanning electron microscopy (SEM). The SEM results clearly shows the highly oriented nanowires on the silicon substrate. The flowing carrier gas, temperature, pressure and voltage are main parameters responsible for the formation of the silicon nanowires. The successful synthesis of silicon nanowires shows bright perspectives for further research on silicon nanostructure properties.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Synthesis-of-silicon-nanowires-using-plasma-chemical-etching-process-for-solar-cell-applications-75261
Другие идентификаторы : Dspace\SGAU\20190418\75261
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
paper25.pdf478.04 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.