Отрывок: We substitute the expansion for the current expression: 𝜀𝑏 𝜑−𝑉𝐵𝐺 𝑑𝑏 + 𝜀𝑡 𝜑−𝑉𝑇𝐺 𝑑𝑡 4𝜋|𝑒|𝛴𝑒 − 𝛴ℎ (10) integrate by parts and divide by voltage drop 𝑑𝑉𝐷𝑠: 𝐺 = 𝜕𝑗 𝜕𝑉𝐷𝑠 = 2𝑒2𝑔𝑝𝑚𝑖𝑛 (2𝜋ℏ)2 𝑓𝐹(𝜀𝑚𝑖𝑛, 𝜇 − 𝑒𝜑) + 2𝑒2𝑔 (2𝜋ℏ)2 ∫ 𝑓𝐹(𝜀(𝑝), 𝜇 − 𝑒𝜑)𝑑𝑝 ∞ 𝑝𝑚𝑖𝑛 (11) The obtained expression consists of two parts - the first line corresponds to...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Hussein S. М. R. H. | ru |
dc.contributor.author | Gavad A. M. | ru |
dc.contributor.author | Gavrilov V. M. | ru |
dc.coverage.spatial | двухслойный графен | ru |
dc.coverage.spatial | математическое моделирование | ru |
dc.coverage.spatial | проводимость | ru |
dc.creator | Hussein S. М. R. H., Gavad A. M., Gavrilov V. M. | ru |
dc.date.accessioned | 2020-08-10 15:26:48 | - |
dc.date.available | 2020-08-10 15:26:48 | - |
dc.date.issued | 2020 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\441372 | ru |
dc.identifier.citation | Hussein, S. М. R. H. Study the properties of conductivity in two-layer graphene using mathematical modeling / S. М. R. H. Hussein, A. M. Gavad, V. M. Gavrilov // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020) : сб. тр. по материалам VI Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 26-29 мая) : в 4 т. - Тек / М-во науки и образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН. - 2020. - Т. 1. - С. 1-6 | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Study-the-properties-of-conductivity-in-twolayer-graphene-using-mathematical-modeling-85111 | - |
dc.language.iso | eng | ru |
dc.relation.ispartof | Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020) : сб. тр. по материалам VI Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 26-29 мая) : в 4 т. - Тек | ru |
dc.source | Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020). - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоника | ru |
dc.title | Study the properties of conductivity in two-layer graphene using mathematical modeling | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.citation.epage | 6 | ru |
dc.citation.spage | 1 | ru |
dc.citation.volume | 1 | ru |
dc.textpart | We substitute the expansion for the current expression: 𝜀𝑏 𝜑−𝑉𝐵𝐺 𝑑𝑏 + 𝜀𝑡 𝜑−𝑉𝑇𝐺 𝑑𝑡 4𝜋|𝑒|𝛴𝑒 − 𝛴ℎ (10) integrate by parts and divide by voltage drop 𝑑𝑉𝐷𝑠: 𝐺 = 𝜕𝑗 𝜕𝑉𝐷𝑠 = 2𝑒2𝑔𝑝𝑚𝑖𝑛 (2𝜋ℏ)2 𝑓𝐹(𝜀𝑚𝑖𝑛, 𝜇 − 𝑒𝜑) + 2𝑒2𝑔 (2𝜋ℏ)2 ∫ 𝑓𝐹(𝜀(𝑝), 𝜇 − 𝑒𝜑)𝑑𝑝 ∞ 𝑝𝑚𝑖𝑛 (11) The obtained expression consists of two parts - the first line corresponds to... | - |
Располагается в коллекциях: | Информационные технологии и нанотехнологии |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
ИТНТ-2020_том 1-1-6.pdf | 455.59 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.