Отрывок: Пунктиром показаны неустойчивые ветки. Рисунок 1. Зависимость стационарного значения интенсивности от величины инжектируемого излучения при 1.2r  , 0.15   и 1) 0.0001   2) 0.0005   3) 0.001   4) 0.0001  5) 0.0005  6) 0.001  . Моделирование динамики проводилось при параметрах, соответствующих широкоапертурным полупроводниковым лазерам: 0.025  , 55 10   , 410a  ,...
Название : Стабилизация широкоапертурных полупроводниковых лазеров с помощью внешней оптической инжекции
Другие названия : Stabilization of broad-area semiconductor lasers by external optical injection
Авторы/Редакторы : Кренц, А.А.
Анчиков, Д.А.
Молевич, Н.Е.
Ярунова, Е.А.
Дата публикации : 2019
Издательство : Изд-во «Новая техника»
Библиографическое описание : Кренц А.А. Стабилизация широкоапертурных полупроводниковых лазеров с помощью внешней оптической инжекции / А.А. Кренц, Д.А. Анчиков, Н.Е. Молевич, Е.А. Ярунова // Сборник трудов ИТНТ-2019 [Текст] : V междунар. конф. и молодеж. шк. "Информ. технологии и нанотехнологии" : 21-24 мая : в 4 т. / Самар. нац.-исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем. обраб. изобр. РАН-фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН ; [под ред. Р. В. Скиданова]. - Самара: Новая техника, 2019. - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоника. - 2019. - С. 278-282.
Аннотация : Работа посвящена аналитическому и численному исследованию пространственно-временной динамики широкоапертурного полупроводникового лазера с инжекцией внешнего оптического излучения. Моделирование динамики лазера проводилось с помощью систему уравнений Максвелла-Блоха. Показано, что инжекция внешнего оптического излучения позволяет подавить неустойчивые поперечные моды и стабилизировать излучение лазера. В работе изучено влияние расстройки между частотой генерируемого и инжектируемого излучения. Определена область параметров расстройки и амплитуды инжектируемого излучения, при которых происходит эффективная стабилизация полупроводниковых широкоапертурных лазеров. The paper is devoted to the analytical and numerical investigation of the spatio-temporal dynamics of a broad-area semiconductor laser with external optical injection. The laser dynamics was simulated by using the Maxwell-Bloch equations. It is shown that the external optical injection makes it possible to suppress unstable transverse modes and stabilize the laser output. The paper studies the effect of detuning between the frequency of the generated and injected radiation. The range of the parameters of the detuning and the amplitude of the injected signal, in which the effective stabilization of semiconductor broad-area lasers occurs, is determined.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Stabilizaciya-shirokoaperturnyh-poluprovodnikovyh-lazerov-s-pomoshu-vneshnei-opticheskoi-inzhekcii-75609
Другие идентификаторы : Dspace\SGAU\20190419\75609
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
paper50.pdf490.68 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.