Отрывок: Перенос заряда в электролите описывался законом Ома. Постулировалось два предположения: во-первых, электролит является электронейтральным, во-вторых, изменение состава электролита пренебрежимо мало (однородный). Также учитывалось, что при контакте полупроводникового электрода с раствором электролита в полупроводнике формируется область пространственного заряда (ОПЗ), аналогичная обл...
Название : | Моделирование процессов порообразования на подложках кремния с текстурированной поверхностью |
Другие названия : | Simulation of the Pore Formation Process on Silicon Wafers with a Textured Surface |
Авторы/Редакторы : | Латухина, Н.В. Рогожина, Г.А. Шишкин, И.А. Лизункова, Д.А. Latukhina, N.V. Rogozhina, G.A. Shishkin, I.A. Lizunkova, D.A. |
Дата публикации : | Май-2019 |
Издательство : | Новая техника |
Библиографическое описание : | Латухина Н.В. Моделирование процессов порообразования на подложках кремния с текстурированной поверхностью / Латухина Н.В., Рогожина Г.А., Шишкин И.А., Лизункова Д.А. // Сборник трудов ИТНТ-2019 [Текст]: V междунар. конф. и молодеж. шк. "Информ. технологии и нанотехнологии": 21-24 мая: в 4 т. / Самар. нац.-исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем. обраб. изобр. РАН-фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН; [под ред. В.А. Соболева]. - Самара: Новая техника, 2019. – Т. 3: Математическое моделирование физико-технических процессов и систем. - 2019. - С. 350-353. |
Аннотация : | В работе представлено исследование механизма порообразования на кремниевых пластинах (100) с текстурированной поверхностью p-типа проводимости и удельным сопротивлением 5 Ом см при электролитическом травлении в гальваностатическом режиме в растворах плавиковой кислоты в соотношении HF:C2H5OH (1:1). Учтено влияние электрического поля на процесс формирования пористых структур. Получено экспериментальное согласование модели распределения поля в электролите и распределения удельного сопротивления по поверхности кремниевой пластины. Подтверждено, что формирование пор начинается и продолжается между стыками пирамид, т.е. в областях на поверхности с максимальной напряженностью поля. In this work, we received a map of the distribution of the potential field of the surface layer during the electrochemical etching of silicon. A comparison was made of the field distribution in cells with different types: horizontal and vertical. The rate and direction of electrolyte, flowing though the pores of different forms, is shown. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : | http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Modelirovanie-processov-poroobrazovaniya-na-podlozhkah-kremniya-s-teksturirovannoi-poverhnostu-76286 |
Другие идентификаторы : | Dspace\SGAU\20190501\76286 |
Располагается в коллекциях: | Информационные технологии и нанотехнологии |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
paper54.pdf | Основная статья | 437.68 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.