Отрывок: Для прекращения перемещения в схему коммутации двигателей поступает сигнал с реле. В свою очередь для срабатывания реле необходимо усиление сигнала схемы совпадения. Подгонка производилась при мощности разряда 30...100Вт. При этом скорость перемещения рабочего электрода относительно резистора составляла 5...20мм/мин, а контактирование рабочего электрода с подгоняемым резистором осуществлялось с частотой 20...100Гц. Для выбора па...
Название : Моделирование процесса подгонки толстоплёночных резисторов методом факельного разряда
Другие названия : Process modeling of adjustment of thick film resistors by method of flare discharge
Авторы/Редакторы : Пиганов, М.Н.
Новомейский, Д.Н.
Piganov, M.N.
Novomeyskiy, D.N.
Ключевые слова : modeling
mathematical model
thick-film resistor
adjustment
flare discharge
adjusting device
Дата публикации : 2018
Издательство : Новая техника
Библиографическое описание : Пиганов М.Н. Моделирование процесса подгонки толстоплёночных резисторов методом факельного разряда/М.Н. Пиганов, Д.Н. Новомейский// Сборник трудов IV международной конференции и молодежной школы «Информационные технологии и нанотехнологии» (ИТНТ-2018) - Самара: Новая техника, 2018. - С. 1698-1705
Серия/номер : 3;227
Аннотация : Приведена процедура математического моделирование процесса подгонки толстоплёночных резисторов гибридных интегральных микросхем методом факельного разряда. Описано устройство, обеспечивающее подгонку резисторов с заданной точностью. Получено математическое выражение, которое связывает все физические и геометрические параметры системы «разряд-резистор-подложка» и технологический параметр. Разработаны рекомендации по повышению стабильности резисторов после подгонки.//The procedure is provided mathematical process modeling of adjustment of thick film resistors of hybrid integrated microcircuits is provided by method of torch discharge. The device providing adjustment of resistors with the given accuracy is described. A mathematical expression is obtained that relates all the physical and geometrical parameters of the system "discharge-resistor-substrate" and the technological parameter. Recommendations about stability augmentation of resistors after adjustment are developed.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Modelirovanie-processa-podgonki-tolstoplenochnyh-rezistorov-metodom-fakelnogo-razryada-69306
Другие идентификаторы : Dspace\SGAU\20180515\69306
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
paper_227.pdfОсновная статья.274.72 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.