Отрывок: Учитывая диапазон значений коэффициента диффузии мономеров различных резистов в слое резиста при температурах выше температуры стеклования [6], было установлено, мономер, образовавшийся в результате деполимеризации, в дальнейшем эффективно выходит из слоя резиста (временем выхода мономера можно пренебречь). Моделирование растекания профиля проводилось с использованием аналитического подхода на...
Название : Моделирование процесса формирования микрооптических структур методом термостимулированной электронно-лучевой литографии
Авторы/Редакторы : Сидоров Ф. А.
Рогожин А. Е.
Дата публикации : 2022
Библиографическое описание : Сидоров, Ф. А. Моделирование процесса формирования микрооптических структур методом термостимулированной электронно-лучевой литографии / Ф. А. Сидоров, А. Е. Рогожин // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2022) : сб. тр. по материалам VIII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 23 - 27 мая) : в 5 т. / М-во науки и образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2022Т. 1: Компьютерная оптика и нанофотоника / под ред. Е. С. Козловой. - 2022. - С. 013492.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\491314
Ключевые слова: вязкость резиста
длина цепи деполимеризации
моделирование профиля линии
неоднородное распределение молекулярной массы
термостимулированная электронно-лучевая литография
термическая деполимеризация
формирование микрооптических структур
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-7883-1789-2_2022-013492.pdf790.64 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.