Отрывок: Учитывая диапазон значений коэффициента диффузии мономеров различных резистов в слое резиста при температурах выше температуры стеклования [6], было установлено, мономер, образовавшийся в результате деполимеризации, в дальнейшем эффективно выходит из слоя резиста (временем выхода мономера можно пренебречь). Моделирование растекания профиля проводилось с использованием аналитического подхода на...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorСидоров Ф. А.ru
dc.contributor.authorРогожин А. Е.ru
dc.coverage.spatialвязкость резистаru
dc.coverage.spatialдлина цепи деполимеризацииru
dc.coverage.spatialмоделирование профиля линииru
dc.coverage.spatialнеоднородное распределение молекулярной массыru
dc.coverage.spatialтермостимулированная электронно-лучевая литографияru
dc.coverage.spatialтермическая деполимеризацияru
dc.coverage.spatialформирование микрооптических структурru
dc.creatorСидоров Ф. А., Рогожин А. Е.ru
dc.date.issued2022ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\491314ru
dc.identifier.citationСидоров, Ф. А. Моделирование процесса формирования микрооптических структур методом термостимулированной электронно-лучевой литографии / Ф. А. Сидоров, А. Е. Рогожин // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2022) : сб. тр. по материалам VIII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 23 - 27 мая) : в 5 т. / М-во науки и образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2022Т. 1: Компьютерная оптика и нанофотоника / под ред. Е. С. Козловой. - 2022. - С. 013492.ru
dc.language.isorusru
dc.relation.ispartofИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2022) : сб. тр. по материалам VIII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 23 - 27 мая) : в 5 т. -ru
dc.sourceИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2022). - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоникаru
dc.titleМоделирование процесса формирования микрооптических структур методом термостимулированной электронно-лучевой литографииru
dc.typeTextru
dc.citation.spage013492ru
dc.citation.volume1ru
dc.textpartУчитывая диапазон значений коэффициента диффузии мономеров различных резистов в слое резиста при температурах выше температуры стеклования [6], было установлено, мономер, образовавшийся в результате деполимеризации, в дальнейшем эффективно выходит из слоя резиста (временем выхода мономера можно пренебречь). Моделирование растекания профиля проводилось с использованием аналитического подхода на...-
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-7883-1789-2_2022-013492.pdf790.64 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.