Отрывок: tif. Обработка изображений проводилась попиксельно в среде MathCAD. Изображения кристалла условно делились на локальные области размером 10×10 пикселей. Для каждой локальной области рассчитывалось среднее значение яркости пикселей. Температура перегрева локальных областей кристалла определялась по формуле 011742 VIII Международная конференция и молодёжная школа «Информационные технологии и нанотехнологии» (ИТНТ-2022) Том 1. Компьютерна...
Название : | Измерение профиля температуры перегрева поверхности светоизлучающей гетероструктуры по температурному спаду яркости свечения |
Авторы/Редакторы : | Сергеев В. А. Фролов И. В. Радаев О. А. |
Дата публикации : | 2022 |
Библиографическое описание : | Сергеев, В. А. Измерение профиля температуры перегрева поверхности светоизлучающей гетероструктуры по температурному спаду яркости свечения / В. А. Сергеев, И. В. Фролов, О. А. Радаев // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2022) : сб. тр. по материалам VIII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 23 - 27 мая) : в 5 т. / М-во науки и образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2022Т. 1: Компьютерная оптика и нанофотоника / под ред. Е. С. Козловой. - 2022. - С. 011742. |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\491117 |
Ключевые слова: | распределение температуры распределение яркости свечения светодиоды светоизлучающие гетероструктуры методика измерений экспериментальные исследования яркость электролюминесценции температура перегрева температурный мэппинг |
Располагается в коллекциях: | Информационные технологии и нанотехнологии |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
978-5-7883-1789-2_2022-011742.pdf | 944.96 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.