Отрывок: tif. Обработка изображений проводилась попиксельно в среде MathCAD. Изображения кристалла условно делились на локальные области размером 10×10 пикселей. Для каждой локальной области рассчитывалось среднее значение яркости пикселей. Температура перегрева локальных областей кристалла определялась по формуле 011742 VIII Международная конференция и молодёжная школа «Информационные технологии и нанотехнологии» (ИТНТ-2022) Том 1. Компьютерна...
Название : Измерение профиля температуры перегрева поверхности светоизлучающей гетероструктуры по температурному спаду яркости свечения
Авторы/Редакторы : Сергеев В. А.
Фролов И. В.
Радаев О. А.
Дата публикации : 2022
Библиографическое описание : Сергеев, В. А. Измерение профиля температуры перегрева поверхности светоизлучающей гетероструктуры по температурному спаду яркости свечения / В. А. Сергеев, И. В. Фролов, О. А. Радаев // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2022) : сб. тр. по материалам VIII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 23 - 27 мая) : в 5 т. / М-во науки и образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2022Т. 1: Компьютерная оптика и нанофотоника / под ред. Е. С. Козловой. - 2022. - С. 011742.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\491117
Ключевые слова: распределение температуры
распределение яркости свечения
светодиоды
светоизлучающие гетероструктуры
методика измерений
экспериментальные исследования
яркость электролюминесценции
температура перегрева
температурный мэппинг
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-7883-1789-2_2022-011742.pdf944.96 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.