Отрывок: tif. Обработка изображений проводилась попиксельно в среде MathCAD. Изображения кристалла условно делились на локальные области размером 10×10 пикселей. Для каждой локальной области рассчитывалось среднее значение яркости пикселей. Температура перегрева локальных областей кристалла определялась по формуле 011742 VIII Международная конференция и молодёжная школа «Информационные технологии и нанотехнологии» (ИТНТ-2022) Том 1. Компьютерна...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorСергеев В. А.ru
dc.contributor.authorФролов И. В.ru
dc.contributor.authorРадаев О. А.ru
dc.coverage.spatialраспределение температурыru
dc.coverage.spatialраспределение яркости свеченияru
dc.coverage.spatialсветодиодыru
dc.coverage.spatialсветоизлучающие гетероструктурыru
dc.coverage.spatialметодика измеренийru
dc.coverage.spatialэкспериментальные исследованияru
dc.coverage.spatialяркость электролюминесценцииru
dc.coverage.spatialтемпература перегреваru
dc.coverage.spatialтемпературный мэппингru
dc.creatorСергеев В. А., Фролов И. В., Радаев О. А.ru
dc.date.issued2022ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\491117ru
dc.identifier.citationСергеев, В. А. Измерение профиля температуры перегрева поверхности светоизлучающей гетероструктуры по температурному спаду яркости свечения / В. А. Сергеев, И. В. Фролов, О. А. Радаев // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2022) : сб. тр. по материалам VIII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 23 - 27 мая) : в 5 т. / М-во науки и образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2022Т. 1: Компьютерная оптика и нанофотоника / под ред. Е. С. Козловой. - 2022. - С. 011742.ru
dc.language.isorusru
dc.relation.ispartofИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2022) : сб. тр. по материалам VIII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 23 - 27 мая) : в 5 т. -ru
dc.sourceИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2022). - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоникаru
dc.titleИзмерение профиля температуры перегрева поверхности светоизлучающей гетероструктуры по температурному спаду яркости свеченияru
dc.typeTextru
dc.citation.spage011742ru
dc.citation.volume1ru
dc.textparttif. Обработка изображений проводилась попиксельно в среде MathCAD. Изображения кристалла условно делились на локальные области размером 10×10 пикселей. Для каждой локальной области рассчитывалось среднее значение яркости пикселей. Температура перегрева локальных областей кристалла определялась по формуле 011742 VIII Международная конференция и молодёжная школа «Информационные технологии и нанотехнологии» (ИТНТ-2022) Том 1. Компьютерна...-
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-7883-1789-2_2022-011742.pdf944.96 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.