Отрывок: Электроны с энергией < 10 keV поглощаются в очень узком слое расплава, причем максимум этого поглощения лежит на некоторой глубине ∂/2, равной 1.3551.15 10 U     , (5) где ρ - плотность жидкого металла. Это означает, что концентрацию отрицательных частиц, поглощенных расплавом можно записать в следующем виде   2 0 0 , dN N x U x     . Информ...
Название : Исследование взаимодействия направленного ионно-электронного потока с поверхностью расплава никель-кремний
Авторы/Редакторы : Подлипнов, В.В.
Колпаков, В.А.
Струкель, Ю.С.
Ключевые слова : диффузия
ионно-электронный поток частиц
отжиг
травление
Дата публикации : 2016
Издательство : Издательство СГАУ
Библиографическое описание : Материалы Международной конференции и молодёжной школы «Информационные технологии и нанотехнологии», с. 78-83
Аннотация : В работе проведен аналитические и экспериментальные исследования процессов ионно-электронного стимулирования процессов диффузии атомов кремния в расплаве никель-кремний. Предложены аналитические зависимости для описание механизма возникновения и дрейфа примесей на основе вакансионного механизма дрейфа. Экспериментально установлен процесс направленного характера движения вакансий.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Issledovanie-vzaimodeistviya-napravlennogo-ionnoelektronnogo-potoka-s-poverhnostu-rasplava-nikelkremnii-60621
ISBN : 978-5-7883-1078-7
Другие идентификаторы : Dspace\SGAU\20161208\60621
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
78-83.pdfОсновная статья637.84 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.