Отрывок: При ещё более высоких плотностях энергии и числах импульсов n <321, HSFL вообще не образуется, в образце остаются только LSFL. Рассматривая...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorФюрбахер Р.ru
dc.contributor.authorЛидль Г.ru
dc.contributor.authorМурзин С. П.ru
dc.coverage.spatialHSFL структурыru
dc.coverage.spatialLSFL структурыru
dc.coverage.spatialлазерное излучениеru
dc.coverage.spatialлазерно-индуцированные периодические поверхностные структурыru
dc.coverage.spatialсамоорганизующиеся наноструктурыru
dc.coverage.spatialпространственное распределение частотru
dc.coverage.spatialпорог абляцииru
dc.coverage.spatialнержавеющие сталиru
dc.coverage.spatialэкспериментальные исследованияru
dc.creatorФюрбахер Р., Лидль Г., Мурзин С. П.ru
dc.date.accessioned2020-08-10 15:27:45-
dc.date.available2020-08-10 15:27:45-
dc.date.issued2020ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\441603ru
dc.identifier.citationФюрбахер, Р. Исследование пространственного перехода частот лазерно-индуцированных периодических поверхностных структур / Р. Фюрбахер, Г. Лидль, С. П. Мурзин // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020) : сб. тр. по материалам VI Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 26-29 мая) : в 4 т. - Тек / М-во науки и образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН. - 2020. - Т. 1. - С. 399-406ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Issledovanie-prostranstvennogo-perehoda-chastot-lazernoinducirovannyh-periodicheskih-poverhnostnyh-struktur-85176-
dc.language.isorusru
dc.relation.ispartofИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020) : сб. тр. по материалам VI Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 26-29 мая) : в 4 т. - Текru
dc.sourceИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020). - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоникаru
dc.titleИсследование пространственного перехода частот лазерно-индуцированных периодических поверхностных структурru
dc.typeTextru
dc.citation.epage406ru
dc.citation.spage399ru
dc.citation.volume1ru
dc.textpartПри ещё более высоких плотностях энергии и числах импульсов n <321, HSFL вообще не образуется, в образце остаются только LSFL. Рассматривая...-
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
ИТНТ-2020_том 1-399-406.pdf717.9 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.