Отрывок: Ɋɚɫɫɦɨɬɪɢɦ ɩɪɢɦɟɪ ɜɨɡɛɭɠɞɟɧɢɹ Ȼɉȼ ±5 ɩɨɪɹɞɤɚɦɢ ɞɢɮɪɚɤɰɢɢ ɩɪɢ ɞɥɢɧɟ ɜɨɥɧɵ ɩɚɞɚɸщɟɝɨ ɢɡɥɭɱɟɧɢɹ 400 ɧɦ. Ⱦɥɹ ɡɚɞɚɱ ɮɨɬɨɥɢɬɨɝɪɚɮɢɢ ɧɟɨɛɯɨɞɢɦɨ ɪɟɝɢɫɬɪɢɪɨɜɚɬɶ ɢɧɬɟɪɮɟɪɟɧɰɢɨɧɧɭɸ ɤɚɪɬɢɧɭ Ȼɉȼ ɜ ɮɨɬɨɪɟɡɢɫɬɟ, ɩɨɷɬɨɦɭ ɧɚ ɝɪɚɧɢɰɭ ɫɬɪɭɤɬɭɪɵ ɩɨɦɟɫɬɢɦ ɫɥɨɣ ɪɟɡɢɫɬɚ ɫ ɬɨɥщɢɧɨɣ ɢ ɞɢɷɥɟɤɬɪɢɱɟɫɤɨɣ ɩɪɨɧɢɰɚɟɦɨɫɬɶɸ , ɪɚɫɩɨɥɨɠɟɧɧɵɣ ɧɚ ɩɨɥɭɛɟɫɤɨɧɟɱɧɨɣ ɩɨɞɥɨɠɤɟ ɫ ɞɢɷɥɟɤɬɪɢɱɟɫɤɨɣ ɩɪɨɧɢɰɚɟɦɨɫɬɶɸ . ɉɪɢ ɦɨɞɟɥɢɪɨɜɚɧɢɢ ɛɭɞɟɦ ɢɫɩɨɥɶɡɨɜɚɬɶ ɫɥɟɞɭɸщɢɟ ɩɚɪɚɦɟɬɪɵ ɫɬɪɭɤɬɭɪɵμ , , (ɱɬɨ ɫɨɨɬɜɟɬɫɬɜɭɟɬ ɦ...
Название : Интерференция блоховских поверхностных волн на границе раздела фотонный кристалл/диэлектрик
Авторы/Редакторы : Кадомина, Е.А.
Безус, Е.А.
Досколович, Л.Л.
Ключевые слова : блоховские поверхностные волны
интерференция
фотонный кристалл
диэлектрик
Дата публикации : 2015
Издательство : Издательство Самарского научного центра РАН
Библиографическое описание : Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2015): материалы Международной конференции и молодежной школы. – Самара: Изд-во СамНЦ РАН, 2015. – с. 376-378
Аннотация : На основе моделирования в рамках электромагнитной теории дифракции показана возможность получения интерференционных картин высокого качества за счет резонансного усиления высших затухающих порядков дифракции, связанного с возбуждением блоховских поверхностных волн. Предлагаемый подход может быть применен для создания периодических структур с наноразмерными деталями методом контактной фотолитографии в ближнем поле.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Interferenciya-blohovskih-poverhnostnyh-voln-na-granice-razdela-fotonnyi-kristalldielektrik-62618
ISBN : 978-5-93424-739-4
Другие идентификаторы : Dspace\SGAU\20170309\62618
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
itnt_2015_93.pdfОсновная статья293.08 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.