Отрывок: 16) и (4.17), присоединяя к се­ бе по схеме (4.4) электрон, становятся отрицательными ионами F ” , кото­ рые на поверхности при ПХТ, согласно (4.8), испытывают обратное пре­ вращение. Подобных превращений следует ожидать и от отрицательных ионов О ", причем радикалы кислорода, обладая высокой химической ак- тивностью, конкурируют с радикалами F в занятии активных центров на поверхности обработки, что при определенной концентрации 0 2 в плазме может привести к снижению скорос...
Название : Приборы и методы пространственно-селективного травления диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов направленным потоком внеэлектродной плазмы
Авторы/Редакторы : Колпаков В. А.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева
Российская академия наук
Дата публикации : 2010
Библиографическое описание : Колпаков, В. А. Приборы и методы пространственно-селективного травления диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов направленным потоком внеэлектродной плазмы [Электронный ресурс] : дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.01 : защищена 29.06.2010 / Колпаков Всеволод Анатольевич ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева, Ин-т систем обраб. изображений РАН. - Самара, 2010. - [r=on-line]
Аннотация : ДСП
Другие идентификаторы : RU/НТБ СГАУ/WALL/Дис/К 615-503502
Ключевые слова: внеэлектродная плазма
полупроводниковые оптические материалы
оптические материалы
диэлектрические оптические материалы
Располагается в коллекциях: Диссертации (Закрыто)

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Колпаков В. А. Приборы и методы.pdf147.37 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.