Отрывок: 16) и (4.17), присоединяя к се бе по схеме (4.4) электрон, становятся отрицательными ионами F ” , кото рые на поверхности при ПХТ, согласно (4.8), испытывают обратное пре вращение. Подобных превращений следует ожидать и от отрицательных ионов О ", причем радикалы кислорода, обладая высокой химической ак- тивностью, конкурируют с радикалами F в занятии активных центров на поверхности обработки, что при определенной концентрации 0 2 в плазме может привести к снижению скорос...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Колпаков В. А. | ru |
dc.contributor.author | Министерство образования и науки Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева | ru |
dc.contributor.author | Российская академия наук | ru |
dc.coverage.spatial | внеэлектродная плазма | ru |
dc.coverage.spatial | полупроводниковые оптические материалы | ru |
dc.coverage.spatial | оптические материалы | ru |
dc.coverage.spatial | диэлектрические оптические материалы | ru |
dc.creator | Колпаков В. А. | ru |
dc.date.issued | 2010 | ru |
dc.identifier | RU/НТБ СГАУ/WALL/Дис/К 615-503502 | ru |
dc.identifier.citation | Колпаков, В. А. Приборы и методы пространственно-селективного травления диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов направленным потоком внеэлектродной плазмы [Электронный ресурс] : дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.01 : защищена 29.06.2010 / Колпаков Всеволод Анатольевич ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева, Ин-т систем обраб. изображений РАН. - Самара, 2010. - [r=on-line] | ru |
dc.description.abstract | ДСП | ru |
dc.format.extent | Электрон. текстовые дан. (1 файл : 143 Мбайта) | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.relation.isformatof | Приборы и методы пространственно-селективного травления диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов направленным потоком внеэлектродной | ru |
dc.title | Приборы и методы пространственно-селективного травления диэлектрических и полупроводниковых оптических материалов направленным потоком внеэлектродной плазмы | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rubbk | 01.04.01 | ru |
dc.subject.rugasnti | 29.03 | ru |
dc.subject.udc | 53.145(043.3) | ru |
dc.subject.udc | Дис | ru |
dc.textpart | 16) и (4.17), присоединяя к се бе по схеме (4.4) электрон, становятся отрицательными ионами F ” , кото рые на поверхности при ПХТ, согласно (4.8), испытывают обратное пре вращение. Подобных превращений следует ожидать и от отрицательных ионов О ", причем радикалы кислорода, обладая высокой химической ак- тивностью, конкурируют с радикалами F в занятии активных центров на поверхности обработки, что при определенной концентрации 0 2 в плазме может привести к снижению скорос... | - |
Располагается в коллекциях: | Диссертации (Закрыто) |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Колпаков В. А. Приборы и методы.pdf | 147.37 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.