Отрывок: Эти упругие напряж ения оказы ваю т разруш аю щ ее воздействие на растущ ую пленку с ростом ее толщ ины , вследствие чего нару­ ш ается ее м онокристалличность. Разны м и технологическим и способам и можно сконцентрировать упругие напряж ения в тонком переходном слое меж ду под­ лож кой и пленкой (см. п. 2 .1). П реобразование поверхности...
Название : Исследование гетероэпитаксиального выращивания пленок 3С-SiC на кремнии из твердофазных источников химическим газотранспортным методом и создание термопреобраз
Авторы/Редакторы : Атажанов Ш. Р.
Самарский государственный университет
Ключевые слова : Физика
Дата публикации : 1997
Издательство : Изд-во ун-та
Библиографическое описание : Атажанов, Ш. Р. Исследование гетероэпитаксиального выращивания пленок 3С-SiC на кремнии из твердофазных источников химическим газотранспортным методом и создание термопреобразователей на их основе [Электронный ресурс] : дис. ... канд. физ-мат. наук : 01.04.10 / Атажанов Шавкат Ражабович ; Самар. гос. ун-т. - Самара : Изд-во ун-та, 1997. - on-line
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\348160
Ключевые слова: выращивание тонких пленок
газотранспортный метод
гетероэпитаксиальное выращивание
диссертации
диэлектрики
пленки
Физика
термопреобразователи
твердофазные источники
труды ученых СамГУ
Располагается в коллекциях: Диссертации (Закрыто)

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Атажанов Ш.Р. Исследование.pdf3.8 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.