Отрывок: Эти упругие напряж ения оказы ваю т разруш аю щ ее воздействие на растущ ую пленку с ростом ее толщ ины , вследствие чего нару­ ш ается ее м онокристалличность. Разны м и технологическим и способам и можно сконцентрировать упругие напряж ения в тонком переходном слое меж ду под­ лож кой и пленкой (см. п. 2 .1). П реобразование поверхности...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorАтажанов Ш. Р.ru
dc.contributor.authorСамарский государственный университетru
dc.coverage.spatialвыращивание тонких пленокru
dc.coverage.spatialгазотранспортный методru
dc.coverage.spatialгетероэпитаксиальное выращиваниеru
dc.coverage.spatialдиссертацииru
dc.coverage.spatialдиэлектрикиru
dc.coverage.spatialФизикаru
dc.coverage.spatialпленкиru
dc.coverage.spatialтермопреобразователиru
dc.coverage.spatialтвердофазные источникиru
dc.coverage.spatialтруды ученых СамГУru
dc.creatorАтажанов Ш. Р.ru
dc.date.issued1997ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\348160ru
dc.identifier.citationАтажанов, Ш. Р. Исследование гетероэпитаксиального выращивания пленок 3С-SiC на кремнии из твердофазных источников химическим газотранспортным методом и создание термопреобразователей на их основе [Электронный ресурс] : дис. ... канд. физ-мат. наук : 01.04.10 / Атажанов Шавкат Ражабович ; Самар. гос. ун-т. - Самара, 1997. - on-lineru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 3,70 Мб)ru
dc.language.isorusru
dc.relation.isformatofИсследование гетероэпитаксиального выращивания пленок 3С-SiC на кремнии из твердофазных источников химическим газотранспортным методом и создание терru
dc.subjectФизикаru
dc.titleИсследование гетероэпитаксиального выращивания пленок 3С-SiC на кремнии из твердофазных источников химическим газотранспортным методом и создание термопреобразru
dc.typeTextru
dc.subject.rubbkВ379ru
dc.textpartЭти упругие напряж ения оказы ваю т разруш аю щ ее воздействие на растущ ую пленку с ростом ее толщ ины , вследствие чего нару­ ш ается ее м онокристалличность. Разны м и технологическим и способам и можно сконцентрировать упругие напряж ения в тонком переходном слое меж ду под­ лож кой и пленкой (см. п. 2 .1). П реобразование поверхности...-
Располагается в коллекциях: Диссертации (Закрыто)

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Атажанов Ш.Р. Исследование.pdf3.8 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.