Отрывок: Эти упругие напряж ения оказы ваю т разруш аю щ ее воздействие на растущ ую пленку с ростом ее толщ ины , вследствие чего нару ш ается ее м онокристалличность. Разны м и технологическим и способам и можно сконцентрировать упругие напряж ения в тонком переходном слое меж ду под лож кой и пленкой (см. п. 2 .1). П реобразование поверхности...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Атажанов Ш. Р. | ru |
dc.contributor.author | Самарский государственный университет | ru |
dc.coverage.spatial | выращивание тонких пленок | ru |
dc.coverage.spatial | газотранспортный метод | ru |
dc.coverage.spatial | гетероэпитаксиальное выращивание | ru |
dc.coverage.spatial | диссертации | ru |
dc.coverage.spatial | диэлектрики | ru |
dc.coverage.spatial | Физика | ru |
dc.coverage.spatial | пленки | ru |
dc.coverage.spatial | термопреобразователи | ru |
dc.coverage.spatial | твердофазные источники | ru |
dc.coverage.spatial | труды ученых СамГУ | ru |
dc.creator | Атажанов Ш. Р. | ru |
dc.date.issued | 1997 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\348160 | ru |
dc.identifier.citation | Атажанов, Ш. Р. Исследование гетероэпитаксиального выращивания пленок 3С-SiC на кремнии из твердофазных источников химическим газотранспортным методом и создание термопреобразователей на их основе [Электронный ресурс] : дис. ... канд. физ-мат. наук : 01.04.10 / Атажанов Шавкат Ражабович ; Самар. гос. ун-т. - Самара, 1997. - on-line | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 3,70 Мб) | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.relation.isformatof | Исследование гетероэпитаксиального выращивания пленок 3С-SiC на кремнии из твердофазных источников химическим газотранспортным методом и создание тер | ru |
dc.subject | Физика | ru |
dc.title | Исследование гетероэпитаксиального выращивания пленок 3С-SiC на кремнии из твердофазных источников химическим газотранспортным методом и создание термопреобраз | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rubbk | В379 | ru |
dc.textpart | Эти упругие напряж ения оказы ваю т разруш аю щ ее воздействие на растущ ую пленку с ростом ее толщ ины , вследствие чего нару ш ается ее м онокристалличность. Разны м и технологическим и способам и можно сконцентрировать упругие напряж ения в тонком переходном слое меж ду под лож кой и пленкой (см. п. 2 .1). П реобразование поверхности... | - |
Располагается в коллекциях: | Диссертации (Закрыто) |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Атажанов Ш.Р. Исследование.pdf | 3.8 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.