Отрывок: В ГЛАВЕ 3 приводятся результаты исследований кристаллической струк­ туры, а также количественного состава гетероэпитаксиальных слоев ЗС-SiC/Si. Были использованы методы рентгеновской дифрактометрии, дифракции быст­ рых электронов на отражение, растровой электронной микроскопии, электрон­ ной Оже-спектрокопии, отражательной ИК-спектроскопии. Раздел 3.1 посвящен рентгеноструктурному анализу гетероэпитаксиаль...
Название : Исследование гетероэпитаксиального выращивания пленок 3С-SiC на кремнии из твердофазных источников химическим газотранспортным методом и создание термопреобраз
Авторы/Редакторы : Атажанов Ш. Р.
Самарский государственный университет
Ключевые слова : Физика
Дата публикации : 1997
Библиографическое описание : Атажанов, Ш. Р. Исследование гетероэпитаксиального выращивания пленок 3С-SiC на кремнии из твердофазных источников химическим газотранспортным методом и создание термопреобразователей на их основе [Электронный ресурс] : автореферат дис. ... канд. физ-мат. наук : 01.04.10 / Атажанов Шавкат Ражабович ; [Самар. гос. ун-т]. - Самара, 1997. - on-line
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\348162
Ключевые слова: диэлектрики
выращивание тонких пленок
газотранспортный метод
гетероэпитаксиальное выращивание
диссертации
твердофазные источники
термопреобразователи
труды ученых СамГУ
пленки
Физика
Располагается в коллекциях: Авторефераты

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Атажанов Ш.Р. Исследование.pdf559.02 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.