Отрывок: В ГЛАВЕ 3 приводятся результаты исследований кристаллической струк туры, а также количественного состава гетероэпитаксиальных слоев ЗС-SiC/Si. Были использованы методы рентгеновской дифрактометрии, дифракции быст рых электронов на отражение, растровой электронной микроскопии, электрон ной Оже-спектрокопии, отражательной ИК-спектроскопии. Раздел 3.1 посвящен рентгеноструктурному анализу гетероэпитаксиаль...
Название : | Исследование гетероэпитаксиального выращивания пленок 3С-SiC на кремнии из твердофазных источников химическим газотранспортным методом и создание термопреобраз |
Авторы/Редакторы : | Атажанов Ш. Р. Самарский государственный университет |
Ключевые слова : | Физика |
Дата публикации : | 1997 |
Библиографическое описание : | Атажанов, Ш. Р. Исследование гетероэпитаксиального выращивания пленок 3С-SiC на кремнии из твердофазных источников химическим газотранспортным методом и создание термопреобразователей на их основе [Электронный ресурс] : автореферат дис. ... канд. физ-мат. наук : 01.04.10 / Атажанов Шавкат Ражабович ; [Самар. гос. ун-т]. - Самара, 1997. - on-line |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\348162 |
Ключевые слова: | диэлектрики выращивание тонких пленок газотранспортный метод гетероэпитаксиальное выращивание диссертации твердофазные источники термопреобразователи труды ученых СамГУ пленки Физика |
Располагается в коллекциях: | Авторефераты |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Атажанов Ш.Р. Исследование.pdf | 559.02 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.