Отрывок:
Название : Модель для пороговой неустойчивости напряжения в тонкопленочном транзисторе на основе нанокристаллического кремния
Авторы/Редакторы : Елесин Н. Д.
Дата публикации : 2018
Библиографическое описание : Елесин, Н. Д. Модель для пороговой неустойчивости напряжения в тонкопленочном транзисторе на основе нанокристаллического кремния / Н. Д. Елесин // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций [Электронный ресурс] : материалы Всероc. науч.-техн. конф. (г. Самара, 15-17 мая 2018 г.) / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; под ред. А. И. Данилина. - 2018. - С. 138-139. - ISBN = 978-5-473-01191-3
ISBN : 978-5-473-01191-3
Другие идентификаторы : Dspace\SGAU\20180608\70157
Ключевые слова: тонкопленочный транзистор
пороговая неусточивость
пороговое напряжение
оптический транзистор
нанокристаллический кремний
напряжение
концентрация легирования
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
138-139.pdfМодель для пороговой неустойчивости напряжения в тонкопленочном транзисторе на основе нанокристаллического кремния277.98 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.