Отрывок:
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorЕлесин Н. Д.ru
dc.coverage.spatialтонкопленочный транзисторru
dc.coverage.spatialпороговая неусточивостьru
dc.coverage.spatialпороговое напряжениеru
dc.coverage.spatialоптический транзисторru
dc.coverage.spatialнанокристаллический кремнийru
dc.coverage.spatialнапряжениеru
dc.coverage.spatialконцентрация легированияru
dc.creatorЕлесин Н. Д.ru
dc.date.issued2018ru
dc.identifierDspace\SGAU\20180608\70157ru
dc.identifier.citationЕлесин, Н. Д. Модель для пороговой неустойчивости напряжения в тонкопленочном транзисторе на основе нанокристаллического кремния / Н. Д. Елесин // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций [Электронный ресурс] : материалы Всероc. науч.-техн. конф. (г. Самара, 15-17 мая 2018 г.) / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; под ред. А. И. Данилина. - 2018. - С. 138-139. - ISBN = 978-5-473-01191-3ru
dc.identifier.isbn978-5-473-01191-3ru
dc.language.isorusru
dc.sourceАктуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций [Электронный ресурс] : материалы Всероc. науч.-техн. конф. (г. Самара, 15-17 мая 2018 г.)ru
dc.titleМодель для пороговой неустойчивости напряжения в тонкопленочном транзисторе на основе нанокристаллического кремнияru
dc.typeTextru
dc.citation.epage139ru
dc.citation.spage138ru
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
138-139.pdfМодель для пороговой неустойчивости напряжения в тонкопленочном транзисторе на основе нанокристаллического кремния277.98 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.