Отрывок: На поверхности пленок отсутствуют грубые дефекты, а края элемента имеют четкий контур (рисунок 2). Поверхностные дефекты определялись методом растровой электронной микроскопии с помощью РЭМ «Quanta 200». Рисунок 1 – График распределения толщин пленок Cr и Сu в месте контакта ...
Название : | Исследование параметров тонкопленочных резистивных элементов |
Авторы/Редакторы : | Воеводина П. А. Советкина М. А. |
Дата публикации : | 2024 |
Библиографическое описание : | Воеводина, П. А. Исследование параметров тонкопленочных резистивных элементов / П. А. Воеводина, М. А. Советкина // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. (г.Самара, 23-26 апр. 2024 г.) / Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; под ред. В. А. Зеленского. - Самара : [Артель], 2024. - С. 283-285. |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\554817 |
Ключевые слова: | тонкопленочные резистивные элементы тонкопленочные технологии поверхностные дефекты сравнительный анализ растровая электронная микроскопия интерферометры белого света магнетронное распыление контроль параметров |
Располагается в коллекциях: | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
978-5-903943-20-3_2024-283-285.pdf | 464.15 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.