Отрывок: Очистка поверхности подложек в данных режимах позволяет достигать технологической чистоты поверхности, что хорошо подтверждает сравнение зависимостей адгезии медных пленок к поверхно­ сти кварцевых подложек от времени их загрязнения без финишной очистки, после отжига структуры медная пленка загрязнение кварцевая подложка в высоковольтном разряде (/ =100 мА; и =2 кВ; / =5 мин) и после финишной ...
Название : Исследование механизмов формирования технологически чистой поверхности
Авторы/Редакторы : Казанский Н. Л.
Колпаков В. А.
Колпаков А. И.
Кричевский С. В.
Дата публикации : 2007
Библиографическое описание : Исследование механизмов формирования технологически чистой поверхности / Н. Л. Казанский, В. А. Колпаков, А. И. Колпаков, С. В. Кричевский // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций [Электронный ресурс] : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 14 - 16 мая 2007 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; [под ред. И. Г. Мироненко, М. Н. Пиганова]. - Самара : СГАУ, 2007. - С. 46-48.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\534072
Ключевые слова: технологическая чистота поверхности подложек
УВН-2М-1
диэлектрические подложки
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Стр.-46-48.pdf73.59 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.