Отрывок: При облучении в атмосфере воздуха, в зависимости от режимов, возможна реализация каждого из вышеперечисленных механизмов. При облучении в кислороде преобладает механизм окисления. Облучение в аргоне приводит к наиболее эффективной очитке контактов реле, отжигу поверхности контактов и к минимальному сопротивлению контактов р=20мОм. Поэтому, наиболее оптимальным режимом облучения является: рабочий газ - аргон, ток р...
Название : Ионно-плазменная очистка контактов реле
Авторы/Редакторы : Колпаков В. А.
Колпаков А. И.
Кричевский С. В.
Дата публикации : 2012
Библиографическое описание : Колпаков, В. А. Ионно-плазменная очистка контактов реле / В. А. Колпаков, А. И. Колпаков, С. В. Кричевский // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций [Электронный ресурс] : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 15-17 мая 2012 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т) ; [под ред. М. Н. Пиганова]. - 2012. - С. 302-303
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Ionnoplazmennaya-ochistka-kontaktov-rele-81041
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\432027
Ключевые слова: финишная очистка поверхности
химическая очистка
сопротивления контактов
ионно-плазменная очистка
очистка контактов реле
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Актуальные проблемы 2012-302-303.pdf65.62 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.