Отрывок: Для более глубоких слоев отклонение от объемного значения межслоевого расстояния затухает с глубиной (часто осцилляторно). В дополнение к нормальной релаксации иногда имеет место однородное смещение верхнего слоя параллельно поверхности. В этом случае говорят о параллельной илп тангенциальной релаксации (рис. 15. б}. Она наблюдается в основном на высокоиндексных плоскостях с низкой концентрацией атомов. Рис. 15. Схематическая иллюстра...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorВолков А. В.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Россииru
dc.contributor.authorСамарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (национальный исследовательский университет)ru
dc.coverage.spatialнанотехнологииru
dc.coverage.spatialмикротехнологииru
dc.coverage.spatialаппаратные средстваru
dc.date.issued2012ru
dc.identifierRU/НТБ СГАУ/WALL/004/А 769-734050ru
dc.identifier.citationАппаратные средства микро- и нанотехнологий [Электронный ресурс] : науч.-образоват. модуль в системе дистанц. обучения MOODLE / Минобрнауки России, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т) ; [авт.-сост. А. В. Волков]. - Самара, 2012. - on-lineru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Система дистанционного обучения.ru
dc.description.abstractТруды сотрудников СГАУ(электрон. версия).ru
dc.format.extentЭлектрон. текстовые и граф. дан.ru
dc.language.isorusru
dc.relation.isformatofАппаратные средства микро- и нанотехнологий [Электронный ресурс] : науч.-образоват. модуль в системе дистанц. обучения MOODLEru
dc.titleАппаратные средства микро- и нанотехнологийru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti50.01ru
dc.subject.udc004.9(075)ru
dc.textpartДля более глубоких слоев отклонение от объемного значения межслоевого расстояния затухает с глубиной (часто осцилляторно). В дополнение к нормальной релаксации иногда имеет место однородное смещение верхнего слоя параллельно поверхности. В этом случае говорят о параллельной илп тангенциальной релаксации (рис. 15. б}. Она наблюдается в основном на высокоиндексных плоскостях с низкой концентрацией атомов. Рис. 15. Схематическая иллюстра...-
Располагается в коллекциях: Учебные издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Волков А. В. Аппаратные средства.pdf1.54 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.