Отрывок: Оценка плотности состояний для модели, соотэетствушей та-1 хим условиям, дает величину 2*1012 состояний s i r 1, см2. Приборыс шпатоешше ка основе барьера ме?&гй~волузровс.днЕК, широко используется в цифровой логике, так каю отличаются шеохяк быстродействием н маднкх разчеркид, если изготавливаются в струк­ турах интегральных микросхем, Растет .интерес к к мостам выпрямитель-- л»? дивжв» Шот'гкП;...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorКолпаков А. И.ru
dc.contributor.authorМинистерство наукиru
dc.contributor.authorвысшего образования и технической политики РСФСРru
dc.contributor.authorСамарский авиационный институт им. С. П. Королеваru
dc.coverage.spatialдиодыru
dc.coverage.spatialметодические изданияru
dc.coverage.spatialполупроводникиru
dc.coverage.spatialполупроводниковые приборыru
dc.coverage.spatialфизика полупроводниковru
dc.date.accessioned2022-03-24 16:32:00-
dc.date.available2022-03-24 16:32:00-
dc.date.issued1992ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\476307ru
dc.identifier.citationИсследование влияния поверхности полупроводника на свойства диода Шоттки : метод. указания к лаб. работе. - Текст : электронный / М-во науки, высш. образования и техн. политики РСФСР, Самар. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; сост. А. И. Колпаков. - 1992. - 1 файл (1,13 Мб)ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-vliyaniya-poverhnosti-poluprovodnika-na-svoistva-dioda-Shottki-96379-
dc.description.abstractИспользуемые программы Adobe Acrobatru
dc.description.abstractТруды сотрудников САИ (электрон. версия)ru
dc.description.abstractЦель работы - закрепление знаний по теории физикиполупроводников и полупроводниковых приборов, читаемых в курсах "Специальная микроэлектроника" и "Специальные вопросы микроэлектроники"; овладение методиками расчета параметров полупроводниковых приборов и практическими навыками работы с приборами, обладающими структурой типа металл-полупроводник.ru
dc.language.isorusru
dc.relation.isformatofИсследование влияния поверхности полупроводника на свойства диода Шоттки [Текст] : метод. указания к лаб. работеru
dc.titleИсследование влияния поверхности полупроводника на свойства диода Шотткиru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.03.05ru
dc.subject.udc621.382.01(075)ru
dc.subject.udc621.382.2(075)ru
dc.textpartОценка плотности состояний для модели, соотэетствушей та-1 хим условиям, дает величину 2*1012 состояний s i r 1, см2. Приборыс шпатоешше ка основе барьера ме?&гй~волузровс.днЕК, широко используется в цифровой логике, так каю отличаются шеохяк быстродействием н маднкх разчеркид, если изготавливаются в струк­ турах интегральных микросхем, Растет .интерес к к мостам выпрямитель-- л»? дивжв» Шот'гкП;...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Колпаков А.И. Исследование влияния 1992.pdf1.16 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.