Отрывок: Проведенные исследования на арсениде индия и антимониде индия показали, что аналогичная частотная зависимость наблюдается и для этих материалов в области температур, близких к температуре жидко­ го азота 77°К. В настоящей работе делаются попытки объяснения наблюдаемой частотной зависимости этих материалов, разработана методика изме­ рения параметров полупроводниковых материалов группы В^. Установлено, что при темпер...
Название : Исследование частотных свойств полупроводников группы А(III) и В(V) (ZnSb и ZnAs)
Авторы/Редакторы : Комов А. Н.
Гусева Т. С.
Дата публикации : 1970
Библиографическое описание : Комов, А. Н. Исследование частотных свойств полупроводников группы А(III) и В(V) (ZnSb и ZnAs) / А. Н. Комов, Т. С. Гусева // Материалы научно-технической конференции, посвященной 100-летию со дня рождения В. И. Ленина / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; отв. ред. А. И. Белоусов, В. П. Шорин. - Куйбышев, 1970. - Ч. 1: Февраль 1970 г. - С. 161.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Materialy-nauchnotehnicheskoi-konferencii-posvyashennoi-100letiu-so-dnya-rozhdeniya-VI-Lenina/Issledovanie-chastotnyh-svoistv-poluprovodnikov-gruppy-AIII-i-VV-ZnSb-i-ZnAs-115382
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\575386
Ключевые слова: антимонид индия
арсенид индия
полупроводники
частотная зависимость
Располагается в коллекциях: Материалы научно-технической конференции, посвященной 100-летию со дня рождения В.И. Ленина

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Стр._1970-161.pdf76.79 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.