Просмотр собрания по группе - Авторы Чепурнов В. И.

Перейти к: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых букв:  
Результаты 1 по 17 из 17
Год издания Название Автор(ы) Экспорт
2017Датчик деформации на основе гетероструктуры SiС/SiКаяшева Л. А.; Чепурнов В. И.; Министерство образования и науки Российской Федерации; Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
2019Исследование решений уравнений твердофазной диффузии бета-источникаКузнецова А. А.; Долгополов М. В.; Чепурнов В. И.; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации; Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет); Естественнонаучный институт
2023Моделирование автономного источника питания на основе кремниевой гетероструктурыЧиндин Д. В.; Долгополов М. В.; Чепурнов В. И.; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации; Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет); Естественнонаучный институт
2019Оптимизация бета-преобразователя с использованием метода Монте-КарлоКузнецов О. В.; Долгополов М. В.; Чепурнов В. И.; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации; Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет); Естественнонаучный институт
2024Оптимизация бетавольтаического элемента с инжектором в гетеропереходе с тонкой пленкой SiCЧипура А. С.; Долгополов М. В.; Чепурнов В. И.; Раденко В. В.; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации; Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет); Естественнонаучный институт
2023Особенности роста пленок 3С-SiC/Si, изготовленные методом HTCVDЛебедев Д. М.; Шишкина Д. А.; Шишкин И. А.; Нефедова С. А.; Чепурнов В. И.; Танеев В. В.
2017Полупроводниковый газовый датчик на основе полупроводниковой гетероструктуры por-Si-C/SiПодгорнов С. Н.; Чепурнов В. И.; доцент к. м.; порошковой м.; наноматериалов С.; Чепурнов В. И.; Зайцев В. В.; Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
2018Полупроводниковый позиционно-чувствительный датчик на основе гетероструктуры SiC/SiМедведев С. М.; Чепурнов В. И.; Министерство образования и науки Российской Федерации; Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет); Естественнонаучный институт
2024Потенциал возможностей полупроводниковых структур прямого преобразования энергии радиоактивного распада в электричествоКалеев Д. А.; Чепурнов В. И.; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации; Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет); Естественнонаучный институт
2023Преобразователь радиоизотопной энергии в электрическую, физический принцип работы полупроводниковой структуры SiC*/SiМарченко Д. П.; Чепурнов В. И.; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации; Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет); Естественнонаучный институт
2016Рентгенофазовый анализ алюминиевого сплава Al-Li, состаренного в постоянном магнитном полеСаушкина Е. С.; Осинская Ю. В.; Чепурнов В. И.; Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
2016Тензопреобразователь на основе полупроводниковой гетероструктурыСороков А. С.; Чепурнов В. И.; Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
2021Теоретические и прикладные аспекты прямого преобразования радиоизотопной энергии в постоянный ток полупроводниковой структурой SIC/SIАнисимов Н. С.; Петенко И. А.; Чепурнов В. И.
2021Теоретические и прикладные аспекты прямого преобразования энергии радиохимического превращения атомов С-14 в полупроводниковой структуре SiC/Si в электрическую энергиюАнисимов Н. С.; Чепурнов В. И.; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации; Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет); Естественнонаучный институт
2024Теоретические и прикладные аспекты прямого преобразования энергии радиохимического распада С-14 в полупроводниковой структуре SiC/Si в электрическую энергиюКильметов Р. Р.; Чепурнов В. И.; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации; Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет); Естественнонаучный институт
2003Физика полупроводников и диэлектриков. - Ч. 2: Сборник задачЧепурнов В. И.; Фридман Т. П.
2018Формирование металлизации к мезапористому слою гетероструктуры роr-SiС/Si химических датчиковСороков А. С.; Чепурнов В. И.; Министерство образования и науки Российской Федерации; Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет); Естественнонаучный институт Физический факультет Кафедра радиофизики; полупроводниковой микро- и наноэлектроники
Результаты 1 по 17 из 17