Отрывок: Since x is a length of the crystal, and the value 0 x is the position of the crystallization front, then we can say that the process of complexation occurs near the crystallization front [240]. These calculated data are confirmed by early experimental studies of the initial stages of the defect formation process [12]. In these experiments, quenching of undoped FZ-Si single crystals with a diameter of 30 mm, grown in vacuum at different...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Talanin V. I. | ru |
dc.contributor.author | Talanin I. E. | ru |
dc.coverage.spatial | photo converters | ru |
dc.coverage.spatial | personal computers | ru |
dc.coverage.spatial | micro- and nanoelectronics | ru |
dc.coverage.spatial | mobile communication devices | ru |
dc.coverage.spatial | дефекты | ru |
dc.coverage.spatial | solid-state electronic devices | ru |
dc.coverage.spatial | semiconductor silicon | ru |
dc.coverage.spatial | фотоконвертеры | ru |
dc.coverage.spatial | устройства мобильной связи | ru |
dc.coverage.spatial | полупроводниковый кремний | ru |
dc.coverage.spatial | твердотельные электронные устройства | ru |
dc.coverage.spatial | defects | ru |
dc.coverage.spatial | crystal structure | ru |
dc.coverage.spatial | микро- и наноэлектроника | ru |
dc.coverage.spatial | кристаллическая структура | ru |
dc.coverage.spatial | персональные компьютеры | ru |
dc.creator | Talanin V. I., Talanin I. E. | ru |
dc.date.accessioned | 2023-12-08 11:15:33 | - |
dc.date.available | 2023-12-08 11:15:33 | - |
dc.date.issued | 2018 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\537748 | ru |
dc.identifier.citation | Talanin, V. I. The Formation of Structural Imperfections in Semiconductor Silicon / V. I. Talanin, I. E. Talanin. - [Б. м.] : Cambridge Scholars Publishing, 2018. - 1 file (11,1 Mb) (281 p.). - ISBN = 978-1-5275-0635-0. - Текст : электронный | ru |
dc.identifier.isbn | 978-1-5275-0635-0 | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/eBooks/The-Formation-of-Structural-Imperfections-in-Semiconductor-Silicon-107084 | - |
dc.description.abstract | Используемые программы Adobe Acrobat | ru |
dc.description.abstract | Today, it is difficult to imagine all spheres of human activity without personal computers, solid-state electronic devices, micro- and nanoelectronics, photoconverters, and mobile communication devices. The basic material of modern electronics and for all of these industries is semiconductor silicon. Its properties and applications are determined by defects in its crystal structure. However, until now, there has been no complete and reliable description of the creation and transformation of such a defective structure. This book solves this mystery through two different approaches to semiconductor silicon: the classical and the probabilistic.This book brings together, for the first time, all existing experimental and theoretical information on the internal structure of semiconductor silicon. It will appeal to a wide range of readers, from materials scientists and practical engineers to students. | ru |
dc.description.abstract | Сегодня трудно представить все сферы человеческой деятельности без персональных компьютеров, твердотельных электронных устройств, микро- и наноэлектроники, фотопреобразователей, устройств мобильной связи. Основным материалом современной электроники и всех этих отраслей промышленности является полупроводниковый кремний. Его свойства и области применения определяются дефектами его кристаллической структуры. Однако до сих пор не было полного и достоверного описания создания и преобразования такой дефектной структуры. В этой книге эта загадка раскрывается с помощью двух разных подходов к полупроводниковому кремнию: классического и вероятностного.В этой книге впервые собраны воедино все существующие экспериментальные и теоретические сведения о внутренней структуре полупроводникового кремния. Она понравится широкому кругу читателей, от материаловедов и инженеров-практиков до студентов. | ru |
dc.language.iso | eng | ru |
dc.publisher | Cambridge Scholars Publishing | ru |
dc.title | The Formation of Structural Imperfections in Semiconductor Silicon | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.35 | ru |
dc.subject.udc | 621.383 | ru |
dc.textpart | Since x is a length of the crystal, and the value 0 x is the position of the crystallization front, then we can say that the process of complexation occurs near the crystallization front [240]. These calculated data are confirmed by early experimental studies of the initial stages of the defect formation process [12]. In these experiments, quenching of undoped FZ-Si single crystals with a diameter of 30 mm, grown in vacuum at different... | - |
Располагается в коллекциях: | eBooks |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
1986604.pdf | 11.36 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.