Отрывок: 1 / BPDN ср BPD iBPD BPD i S S N , (9) где SiBPD – площадь объекта подмножества базисных дислокаций; NBPD – количество базисных дислокаций, распознанных нейронной сетью на изображении. 2. Вычисляются площади объектов, относящихся к подмножеству краевых дислокаций STED, и значения их упорядочиваются от минимального S1TED к макси- мальному SN TED 1 2 3, , ,...,TED TED TED TED NTEDS S S S S , (10) ...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Брагин, А.В. | - |
dc.contributor.author | Пьянзин, Д.В. | - |
dc.contributor.author | Сидоров, Р.И. | - |
dc.contributor.author | Скворцов, Д.А. | - |
dc.date.accessioned | 2020-10-27 10:00:10 | - |
dc.date.available | 2020-10-27 10:00:10 | - |
dc.date.issued | 2020-08 | - |
dc.identifier | Dspace\SGAU\20200913\85570 | ru |
dc.identifier.citation | Брагин, А. В. Распознавание дислокационной структуры эпитаксиальных слоев карбида кремния с использованием нейронной сети / А. В. Брагин, Д. В. Пьянзин, Р. И. Сидоров, Д. А. Скворцов // Компьютерная оптика. – 2020. – Т. 44, № 4. – С. 653-659. – DOI: 10.18287/2412-6179-CO-660. | ru |
dc.identifier.uri | https://dx.doi.org/10.18287/2412-6179-CO-660 | - |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Zhurnal-Komputernaya-optika/Raspoznavanie-dislokacionnoi-struktury-epitaksialnyh-sloev-karbida-kremniya-s-ispolzovaniem-neironnoi-seti-85570 | - |
dc.description.abstract | Технологические особенности роста монокристаллов карбида кремния неизбежно создают условия для образования в них дефектов кристаллической структуры. Предложен способ распознавания и анализа дефектной дислокационной структуры монокристаллов карбида кремния на основе применения оптической микроскопии и нейронной сети прямого распространения. Проведена апробация способа на гомоэпитаксиальных слоях карбида кремния 4H политипа. На базе предложенного способа создано программное обеспечение, позволяющее строить карты распределения краевых, винтовых и базисных дислокаций по поверхности монокристаллов карбида кремния. Проведена апробация работы программного обеспечения на цифровых изображениях ростовой поверхности эпитаксиальных слоев карбида кремния. Точность распознавания дислокаций составила 95 %. Полученная информация о распределении дислокаций применяется при разработке технологических приемов снижения их плотности при выращивании монокристаллов. Technological features of the growth of single crystal silicon carbide inevitably create condi-tions for the formation of crystal structure defects in them. A method is proposed for recognizing and analyzing a dislocation structure of single crystal silicon carbide based on the use of optical microscopy and a direct distribution neural network. The method was tested on homoepitaxial lay-ers of 4H-polytype silicon carbide. Software has been developed that allows building maps of the dislocation structure distribution over the surface of single crystal silicon carbide. The software was tested on digital images of the surface of silicon carbide epitaxial layers. The accuracy of recognition of dislocation structure was 95%. The dislocation mapping is used in the development of process technologies for reducing their density during the growth of single crystals. | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.publisher | Новая техника | ru |
dc.relation.ispartofseries | 44;4 | - |
dc.subject | дефектная структура | ru |
dc.subject | дислокации | ru |
dc.subject | карбид кремния | ru |
dc.subject | распознавание изображений | ru |
dc.subject | нейронная сеть | ru |
dc.subject | defective structure | ru |
dc.subject | dislocations | ru |
dc.subject | silicon carbide | ru |
dc.subject | image recognition | ru |
dc.subject | neural network | ru |
dc.title | Распознавание дислокационной структуры эпитаксиальных слоев карбида кремния с использованием нейронной сети | ru |
dc.title.alternative | Recognition of dislocation structure of silicon carbide epitaxial layers by а neural network | ru |
dc.type | Article | ru |
dc.textpart | 1 / BPDN ср BPD iBPD BPD i S S N , (9) где SiBPD – площадь объекта подмножества базисных дислокаций; NBPD – количество базисных дислокаций, распознанных нейронной сетью на изображении. 2. Вычисляются площади объектов, относящихся к подмножеству краевых дислокаций STED, и значения их упорядочиваются от минимального S1TED к макси- мальному SN TED 1 2 3, , ,...,TED TED TED TED NTEDS S S S S , (10) ... | - |
dc.classindex.scsti | 28.23.15 | - |
Располагается в коллекциях: | Журнал "Компьютерная оптика" |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
440420.pdf | Основная статья | 1.13 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.