Отрывок: На рис. 3 приведена прозрачность по мощности для структуры InSb-SiO2-Al из десяти слоёв. InSb характеризуем ДП 17,5 и p = 6×1012 Гц, для Al взято p = 1,45×1016 Гц. Наиболее дешёвыми и технологичными ИК- экранами являются однослойные металлические по- Оптические, ИК- и ТГц-экраны на основе слоистых структур металл–диэлектрик–полупроводник Давидович М.В., Корнев И.А. Компьютерная оптика, 2019, том 43, №5 769...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorДавидович, М.В.-
dc.contributor.authorКорнев, И.А.-
dc.date.accessioned2019-11-28 15:14:08-
dc.date.available2019-11-28 15:14:08-
dc.date.issued2019-10-
dc.identifierDspace\SGAU\20191116\80235ru
dc.identifier.citationДавидович, М.В. Оптические, ИК- и ТГц-экраны на основе слоистых структур металл–диэлектрик–полупроводник / М.В. Давидович, И.А. Корнев // Компьютерная оптика. – 2019. – Т. 43, № 5. – С. 765-772. – DOI: 10.18287/2412-6179-2019-43-5-765-772.ru
dc.identifier.urihttps://dx.doi.org/10.18287/2412-6179-2019-43-5-765-772-
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Zhurnal-Komputernaya-optika/Opticheskie-IK-i-TGcekrany-na-osnove-sloistyh-struktur-metall–dielektrik–poluprovodnik-80235-
dc.description.abstractРассмотрены многослойные покрытия из наноразмерных слоёв металл–диэлектрик–полупроводник, расположенных на прозрачной подложке, описываемые на основе модели Друде–Лоренца и представляющие собой многополосные фильтры – экраны для различных диапазонов. Исследуются структуры с несколькими слоями и квазипериодические структуры. Предложен метод приближённого синтеза по полосам заграждения для структур типа два слоя в периоде и три слоя в периоде. Для трёх слоёв различие в плазменных частотах позволяет расширить полосу. Показано, что полупроводниковые слои из узкозонных материалов типа InSb перспективны для структур ТГц-диапазона с возможностью подстройки диапазонов путём легирования.ru
dc.language.isorusru
dc.publisherНовая техникаru
dc.relation.ispartofseries43;5-
dc.subjectмногослойные покрытияru
dc.subjectтепловые экраныru
dc.subjectповерхностные плазмоныru
dc.subjectкоэффициент отраженияru
dc.titleОптические, ИК- и ТГц-экраны на основе слоистых структур металл–диэлектрик–полупроводникru
dc.title.alternativeOptical, IR and THz screens based on layered metal-dielectric-semiconductor structuresru
dc.typeArticleru
dc.textpartНа рис. 3 приведена прозрачность по мощности для структуры InSb-SiO2-Al из десяти слоёв. InSb характеризуем ДП 17,5 и p = 6×1012 Гц, для Al взято p = 1,45×1016 Гц. Наиболее дешёвыми и технологичными ИК- экранами являются однослойные металлические по- Оптические, ИК- и ТГц-экраны на основе слоистых структур металл–диэлектрик–полупроводник Давидович М.В., Корнев И.А. Компьютерная оптика, 2019, том 43, №5 769...-
dc.classindex.scsti29.31.15-
Располагается в коллекциях: Журнал "Компьютерная оптика"

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
430508.pdfОсновная статья810.51 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.