Модель многослойного покрытия для искусственного оптического синапса

Abstract

Выполнены расчеты оптических характеристик тонких пленок теллурида германия (GeTe) в многослойных структурах. Разработана модель многослойного оптического покрытия с четырехуровневым коэффициентом пропускания. По полученным расчетным данным определены значения толщин, при которых происходит наибольшее изменение коэффициента пропускания для модулируемого оптического излучения на длине волны 1550 нм. Изготовлены экспериментальные образцы покрытий с просветленными пленками GeTe, и исследованы их оптические характеристики пропускания. Определены комбинации параметров многослойных структур для реализации контрастных уровней пропускания. Результаты исследования представляют реализацию многоуровневого искусственного оптического синапса для нейроморфных процессоров.