Отрывок: 36 Рисунок 2.2 - Поперечное распределение СВЧ−поля при несимметричном расположении диэлектрической пластины в волноводе 1 - εr=6.2; 2 - εr=9.7; 3 - εr=11.7 при с/а=0.45, l/a=0/042 Рисунок 2.3 - Влияние на резонансные зависимости затухания волны основного типа в прямоугольном волноводе диэлектрической проницаемости образца x/a L, Дб ka 1 2 3 37 1 - l/a=0.05; 2 - l/a=0.07; ...
Название : Волноводный резонансный метод определения электрофизических параметров слоисто-неоднородных полупроводниковых структур
Авторы/Редакторы : Блинаева А. И.
Занин В. И.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Естественнонаучный институт Физический факультет Кафедра радиофизики
полупроводниковой микро- и наноэлектроники
Дата публикации : 2018
Библиографическое описание : Блинаева, А. И. Волноводный резонансный метод определения электрофизических параметров слоисто-неоднородных полупроводниковых структур : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" (уровень магистратуры) / А. И. Блинаева ; рук. работы В. И. Занин; ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. радиофизики, пол. - Самаpа, 2018. - on-line
Аннотация : В работе исследуется резонансное рассеяние волны основного типа на полупроводниковых и полупроводниково-диэлектрических структурах конечной протяженности в прямоугольном волноводе. Выявлена физическая сущность волноводно-диэлектрического резонанса. Выявлено воздействие на резонанс приповерхностных слоев исследуемого образца, подверженного механическому воздействию. Показано, что электропроводность приповерхностного слоя можно определять по затуханию волны. Решена задача о рассеянии волны основного типа на стыке волновода различного поперечного сечения, содержащем неоднородность, проведен расчет частотных характеристик. Решена задача дифракции волны основного типа на неоднородности в виде скачкообразного расширения волновода, содержащем исследуемый образец.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20190423134923
Ключевые слова: резонансное рассеяние
волноводы
волноводно-диэлектрический резонанс
полупроводниковые структуры
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.