Отрывок: нанесли непрерывную пленку Ti/Pd/Ag на выровненные матрицы КНН с определенным наклоном, что привело к повышению эффективности сбора тока.[36] Чтобы смягчить проблему поверхностной рекомбинации, Gunawan и др. сообщалось о применении конформной пленки Al2O3, выращенной методом осаждения атомного слоя, в качестве эффективного пассивирующего слоя[37], что привело к явному улучшению тока короткого замыкания и напряжения разомкнутой цепи. КНН поглощают свет...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorПолуэктова Н. А.ru
dc.contributor.authorАгафонов А. Н.ru
dc.contributor.authorМайорова А. М.ru
dc.contributor.authorШишкина Д. А.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatialдиффузия в наноструктурахru
dc.coverage.spatialМСХТru
dc.coverage.spatialнаноструктурированный кремнийru
dc.coverage.spatialсолнечные элементыru
dc.coverage.spatialтехнологические параметрыru
dc.coverage.spatialэлектрохимическое травлениеru
dc.creatorПолуэктова Н. А.ru
dc.date.issued2021ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20210914142612ru
dc.identifier.citationПолуэктова, Н. А. Влияние технологических параметров на характеристики солнечного элемента с наноструктурированным кремнием : вып. квалификац. работа по направлению подгот 03.04.01 (уровень магистратуры) / Н. А. Полуэктова ; рук. работы А. Н. Агафонов ; рец. А. М. Майорова ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. - Самара, 2021. - on-lineru
dc.description.abstractОбъектом исследования являются фоточувствительные элементы на основе кремниевых наноструктур. Цель работы — исследование влияния технологических параметров на характеристики солнечного элемента с наноструктурированным кремнием. В результате работы получены образцы с кремниевыми наноструктурами в виде КНН и пористого кремния, исследованы их вольт- амперные и спектральные фоточувствительные характеристики, приведены зависимости характеристик от технологического маршрута создания структур. Результаты данной работы могут быть использованы при разработке устройств для биомедицины, электроники и солнечной энергетики.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 1,8 Мб)ru
dc.titleВлияние технологических параметров на характеристики солнечного элемента с наноструктурированным кремниемru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.29ru
dc.subject.udc539.1ru
dc.textpartнанесли непрерывную пленку Ti/Pd/Ag на выровненные матрицы КНН с определенным наклоном, что привело к повышению эффективности сбора тока.[36] Чтобы смягчить проблему поверхностной рекомбинации, Gunawan и др. сообщалось о применении конформной пленки Al2O3, выращенной методом осаждения атомного слоя, в качестве эффективного пассивирующего слоя[37], что привело к явному улучшению тока короткого замыкания и напряжения разомкнутой цепи. КНН поглощают свет...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Полуэктова_Наталья_Алексеевна_Влияние_технологических_параметров.pdf1.84 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.