Отрывок: [8] Al2O3 имеет относительно большую ширину запрещенной зоны. Самое главное, это хороший диффузионный барьер для кислородных вакансий, который будет блокировать пути диффузии для кислородных вакансий, предотвращая испарение GeO. В работе [8] изучались вакансии кислорода на различных границах раздела Ge:MeOx. Оказалось, что ни одна из этих резких границ раздела Ge:MeOx не имеет состо...
Название : Влияние обработки подложек германия на процесс генерации плотности поверхностных состояний в МДП структураx
Авторы/Редакторы : Зималиева Л. Ф.
Шалимова М. Б.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Дата публикации : 2017
Библиографическое описание : Зималиева, Л. Ф. Влияние обработки подложек германия на процесс генерации плотности поверхностных состояний в МДП структураx : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" [уровень бакалавриата] / Л. Ф. Зималиева ; рук. работы М. Б. Шалимова ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева, Физ. фак., Каф. радиофизики, полупроводниковой микро- и наноэлектро. - Самаpа, 2017. - on-line
Аннотация : В работе изучалось влияние обработки подложек германия на электрофизические свойства МДП-структур с фторидами РЗЭ (фторидами неодима (NdF3) и тулия (TmF3)). Измерены вольт-фарадные, вольт-сименсные характеристики полученных МДП–структур в исходном состоян
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20190419154528
Ключевые слова: полупроводники
зарядовые состояния
физика
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.