Отрывок: Однако обычный металлический затвор, который в транзисторах, как правило, изготавливается из алюминия, не может служить элементом маскирования. Так как температура плавления алюминия порядка 660ºС, а при любом способе легирования областей температура термообработки выше [16]. Поэтому исторически первым способом, позволившим выполнить так называемое самосовмещение затвора и канала стала технология с поликремневыми затворами, которая по...
Название : Визуализация технологического процесса изготовления МОП транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом
Авторы/Редакторы : Соколов Р. А.
Архипов А. В.
Шишкина Д. А.
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Институт информатики
математики и электроники
Дата публикации : 2021
Библиографическое описание : Соколов, Р. А. Визуализация технологического процесса изготовления МОП транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / Р. А. Соколов ; рук. работы А. В. Архипов ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, м. - Самара, 2021. - on-line
Аннотация : Разработана обучающая программа для изучения технологического маршрута производства МОП транзистора с индуцированным каналом и самосовмещенным затвором составлен итоговый тест, и обучающий виртуальный эксперимент для закрепления результатов изучения.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20210914152346
Ключевые слова: визуализация технологических процессов
изолированные затворы
индуцированные каналы
МОП транзисторы
самосовмещенные затворы
технологические процессы
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.