Отрывок: В качестве слоев широкозонного материла использовались слои нанокристаллического пористого кремния и слои пористого карбида кремния. Кроме них в структурах присутствовали слои фторида диспрозия в качестве просветляющего и пассивирующего покрытия. Так же присутствовал пористой слой, содержащий ионы эрбия. Получение пористого слоя происходило на подложках монокристаллического кремния с различным микрорельефом поверхности: шлифованные, полированные и текстурированные. ...
Название : Сравнительный анализ характеристик структур на основе наноструктурированного кремния
Авторы/Редакторы : Ляпин С. С.
Карпеев С. В.
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Институт информатики
математики и электроники
Дата публикации : 2020
Библиографическое описание : Ляпин, С. С. Сравнительный анализ характеристик структур на основе наноструктурированного кремния : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / С. С. Ляпин ; рук. работы С. В. Карпеев ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и электроники, Фак-т эл. - Самара, 2020. - on-line
Аннотация : В работе рассматриваются фоточувствительные структуры на основе наноструктурированного кремния. Цель работы - исследование свойств и основных параметров фоточувствительных структур с пористым слоем и кремниевыми нанонитями. В результате работы было показано положительное влияние наноструктур на фоточувствительные и электрические свойства солнечных элементов на базе кремния.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20210219113713
Ключевые слова: электрохимическое травление
пористый кремний
кремниевые нанонити
солнечная энергетика
спектральные характеристики
наноструктурированный кремний
наноструктуры
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.