Отрывок: Благодаря высокой селективности и возможности проведения травления без использования пониженных температур, на сегодняшний день Bosch- процесс является самым оптимальным для формирования на кремниевых подложках вертикальных структур глубиной порядка сотен микрон. 21 2 Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пласти...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorМихайлов Д. С.ru
dc.contributor.authorПавельев В. С.ru
dc.contributor.authorПолетаев С. Д.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatialBOSCH процессыru
dc.coverage.spatialдифракционная оптикаru
dc.coverage.spatialисточник индуктивно-связанной плазмыru
dc.coverage.spatialанизотропное травление кремниемru
dc.coverage.spatialплазмохимическое травлениеru
dc.creatorМихайлов Д. С.ru
dc.date.issued2018ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20180718133421ru
dc.identifier.citationМихайлов, Д. С. Разработка технологии изготовления трехуровневого кремниевого микрорельефа для задач дифракционной оптики : вып. квалификац. работа по спец. "Электроника и наноэлектроника" / Д. С. Михайлов ; рук. работы В. С. Павельев; рец. С. Д. Полетаев ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и эл. - Самара, 2018. - on-lineru
dc.description.abstractВ данной работе рассматриваются вопросы, связанные с методами анизотропного плазмохимического травления.Цель работы – получение трехуровневого рельефа в кремниевой подложке методом глубокого анизотропного плазмохимического травления.Рассмотрены достоинсru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 1,5 Мб)ru
dc.titleРазработка технологии изготовления трехуровневого кремниевого микрорельефа для задач дифракционной оптикиru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.31ru
dc.subject.udc535.42ru
dc.textpartБлагодаря высокой селективности и возможности проведения травления без использования пониженных температур, на сегодняшний день Bosch- процесс является самым оптимальным для формирования на кремниевых подложках вертикальных структур глубиной порядка сотен микрон. 21 2 Технологические процессы очистки поверхности полупроводниковых пласти...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Михайлов_Дмитрий_Сергеевич_Разработка_технологии_изготовления_трехуровневого.pdf1.55 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.