Отрывок: 2. Невысокий уровень эффективности: Несмотря на то, что гетероструктуры n-SiC/p-SiC/p-Si обладают хорошей степенью передачи электронов, их уровень эффективности может быть невысоким в некоторых случаях. 3. Необходимость специализированного оборудования: Процесс производства гетероструктуры n-SiC/p-SiC/p-Si требует специализированного оборудования, которое может сто...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorМарченко Д. П.ru
dc.contributor.authorЧепурнов В. И.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorЕстественнонаучный институтru
dc.coverage.spatialвольтамперные зависимостиru
dc.coverage.spatialпреобразование энергииru
dc.coverage.spatialпреобразователи радиоизотопной энергииru
dc.coverage.spatialструктуры карбида кремнияru
dc.coverage.spatialэффективность преобразованияru
dc.creatorМарченко Д. П.ru
dc.date.accessioned2023-09-26 13:50:54-
dc.date.available2023-09-26 13:50:54-
dc.date.issued2023ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20230731110954ru
dc.identifier.citationМарченко, Д. П. Преобразователь радиоизотопной энергии в электрическую, физический принцип работы полупроводниковой структуры SiC*/Si : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 Физика (уровень бакалавриата), направленность (профиль) "Физика" / Д. П. Марченко ; рук. работы В. И. Чепурнов; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. физики тв. - Самаpа, 2023. - 1 файл (3,56 Мб). - Текст : электронныйru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Preobrazovatel-radioizotopnoi-energii-v-elektricheskuu-fizicheskii-princip-raboty-poluprovodnikovoi-struktury-SiCSi-105259-
dc.description.abstractЦель исследования - повышение эффективности преобразования энергии ß-излучения высокой удельной плотности радиохимического превращения углерода 14 в электрическую форму посредством прямого преобразования структурой n-SiC/n-Si. В данной работе проведен анализ научно-технической литературы, созданы образцы структур карбида кремния на подложке кремния, измерены вольтамперные зависимости.ru
dc.titleПреобразователь радиоизотопной энергии в электрическую, физический принцип работы полупроводниковой структуры SiC*/Siru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.03ru
dc.subject.udc621.382ru
dc.textpart2. Невысокий уровень эффективности: Несмотря на то, что гетероструктуры n-SiC/p-SiC/p-Si обладают хорошей степенью передачи электронов, их уровень эффективности может быть невысоким в некоторых случаях. 3. Необходимость специализированного оборудования: Процесс производства гетероструктуры n-SiC/p-SiC/p-Si требует специализированного оборудования, которое может сто...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.