Отрывок:
Название : Полупроводниковый газовый датчик на основе полупроводниковой гетероструктуры por-Si-C/Si
Авторы/Редакторы : Подгорнов С. Н.
Чепурнов В. И.
доцент к. м.
порошковой м.
наноматериалов С.
Чепурнов В. И.
Зайцев В. В.
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Дата публикации : 2017
Библиографическое описание : Подгорнов, С. Н. Полупроводниковый газовый датчик на основе полупроводниковой гетероструктуры por-Si-C/Si : вып. квалификац. работа [по направлению "Физика"] / Подгорнов Сергей Николаевич ; рук. работы В. И. Чепурнов ; Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физ. фак-т, Каф. радиофизики, полупроводниковой микро- и наноэлектроники. - Самара, 2017. - on-line
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20190419162803
Ключевые слова: полупроводниковые газовые датчики
полупроводниковые гетероструктуры por-Si-C/Si
полупроводниковые материалы
чувствительные элементы датчиков
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.