Отрывок: Таблица 1. Преимущества гетероструктурного солнечного элемента по сравнению с классической и тонкоплёночной технологией на кремнии Основные характеристики Тонкопленочные модули на основе a- Si/Si:H Модули на основе c- Si Модули на основе гетероперехрда a- Si/c-Si Эффективность модуля, % 9-11 17-19 18-20 15 Доля на рынке, % ~ 2-3 % >75 % ~ 1-2 % Себестоимость модуля, евро/Вт 0.60-0.80 0.37-0.44 0.48-0.52 Рисунок 3. Существующие к...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorЕрмиличев А. С.ru
dc.contributor.authorКарпеев С. В.ru
dc.contributor.authorШишкина Д. А.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatialвольт-амперные характеристикиru
dc.coverage.spatialоптимальные контактыru
dc.coverage.spatialпористый кремнийru
dc.coverage.spatialфоточувствительные структурыru
dc.coverage.spatialфотоэлектрические преобразователиru
dc.coverage.spatialхимическое травлениеru
dc.creatorЕрмиличев А. С.ru
dc.date.issued2021ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20210914161927ru
dc.identifier.citationЕрмиличев, А. С. Подбор оптимальных контактов для фоточувствительных структур с пористым кремнием : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / А. С. Ермиличев ; рук. работы С. В. Карпеев ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики,. - Самара, 2021. - on-lineru
dc.description.abstractОбъектом исследования являются фоточувствительные структуры наоснове кремния с алюминиевыми и серебряными контактами.Цель работы: изучение влияния контактов, сделанных из разныхматериалов, разных видов, на характеристики наноструктур.Результаты данной дипломной работы могут быть использованы дляразработки фоточувствительных структур с более высоким КПД по сравнениюс аналогами. Также, использование такого дешевого исходного материала каккремний позволит сохранить стоимость изделия в приемлемых значениях.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 0,0 Мб)ru
dc.titleПодбор оптимальных контактов для фоточувствительных структур с пористым кремниемru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.29ru
dc.subject.udc539.1ru
dc.textpartТаблица 1. Преимущества гетероструктурного солнечного элемента по сравнению с классической и тонкоплёночной технологией на кремнии Основные характеристики Тонкопленочные модули на основе a- Si/Si:H Модули на основе c- Si Модули на основе гетероперехрда a- Si/c-Si Эффективность модуля, % 9-11 17-19 18-20 15 Доля на рынке, % ~ 2-3 % >75 % ~ 1-2 % Себестоимость модуля, евро/Вт 0.60-0.80 0.37-0.44 0.48-0.52 Рисунок 3. Существующие к...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Ермиличев_Артем_Сергеевич_Подбор_оптимальных_контактов.pdf909.5 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.