Отрывок: Эти свойства будут применены для создания эффективного p-n перехода в будущих фотопреобразователях. Оптические свойства данной структуры будут описаны подробнее ниже. 21 Структуры на основе КНН обладают свойствами, отличными от свойств структур на основе кристаллического кремния (c-Si), поликристаллического кремния (p-Si) и аморфного кремния (a-Si) вследствие их однонаправленной ориентации. Также на оптические свойства кремниевых нанонитей вли...
Название : Оптические и электрические свойства фоточувствительных структур на основе кремниевых нанонитей
Авторы/Редакторы : Семенов С. Ф.
Карпеев С. В.
Саноян А. Г.
Минобрнауки России
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Институт информатики
математики и электроники
Дата публикации : 2019
Библиографическое описание : Семенов, С. Ф. Оптические и электрические свойства фоточувствительных структур на основе кремниевых нанонитей : вып. квалификац. работа по направлению подгот. "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / С. Ф. Семенов ; рук. работы С. В. Карпеев ; нормоконтролер А. Г. Саноян ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и электроники, Фак. - Самаpа, 2019. - on-line
Аннотация : Объектом исследования являются фоточувствительные структуры с кремниевыми нанонитями, с оптическими покрытиями из сульфида цинка. Цель работы: изучение оптических и электрических свойств и основных параметров фоточувствительных структур на основе кремниев
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20190808102256
Ключевые слова: кремниевые нанонити
осаждение
химическое травление
фотоэлектрический преобразователь
Вольт-Амперная характеристика
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.