Отрывок: При этом квантово-размерный эффект будет незначительным, а носители заряда сохранят возможность перемещаться из одного кластера в другой. Такие структуры называются мезопористым кремнием. Если же выращивать пористый кремний на слабо легированной подложке (𝜌 ≈ 10 мОм ∗ см), то диаметры пор и кремниевые остатки будут 22 колебаться в пределах 2-3 нм. В данном случае энергия размерного квантования будет составлять единиц эВ и относительно небольшие флуктуации (≈ 1н...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorБазанов А. Н.ru
dc.contributor.authorКарпеев С. В.ru
dc.contributor.authorШишкина Д. А.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatialp-n переходru
dc.coverage.spatialкоэффициент заполненияru
dc.coverage.spatialмногослойные фоточувствительные структурыru
dc.coverage.spatialоптические характеристикиru
dc.coverage.spatialпористый кремнийru
dc.coverage.spatialпросветляющее покрытиеru
dc.coverage.spatialтравлениеru
dc.coverage.spatialфторид диспрозияru
dc.coverage.spatialэлектрические характеристикиru
dc.creatorБазанов А. Н.ru
dc.date.issued2021ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20210914113802ru
dc.identifier.citationБазанов, А. Н. Оптические и электрические характеристики многослойных фоточувствительных структур с пористым кремнием : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / А. Н. Базанов ; рук. работы С. В. Карпеев ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, м. - Самара, 2021. - on-lineru
dc.description.abstractОбъектом исследования в данной работе является пористый кремний n-типа, просветленный пленкой фторида диспрозия.Цель работы - исследование фотоэлектрических характеристикструктур с пористым кремнием и пленкой из фторида диспрозия.В результате работы были изготовлены пластинки с пористымкремнием, нанесены пленки фторида диспрозия различной толщины,измерены их вольтамперные характеристики, исследовано влияние толщиныпросветляющего покрытия на оптические и электрические свойствапористого кремния.На основе результатов, полученных в ходе работы, был сделан вывод овлиянии просветляющих покрытий на структуры из пористого кремния иоптимальной толщине просветляющего покрытия.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 1,7 Мб)ru
dc.titleОптические и электрические характеристики многослойных фоточувствительных структур с пористым кремниемru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.29ru
dc.subject.udc539.1ru
dc.textpartПри этом квантово-размерный эффект будет незначительным, а носители заряда сохранят возможность перемещаться из одного кластера в другой. Такие структуры называются мезопористым кремнием. Если же выращивать пористый кремний на слабо легированной подложке (𝜌 ≈ 10 мОм ∗ см), то диаметры пор и кремниевые остатки будут 22 колебаться в пределах 2-3 нм. В данном случае энергия размерного квантования будет составлять единиц эВ и относительно небольшие флуктуации (≈ 1н...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Базанов_Александр_Николаевич_Оптические_электрические_характеристики.pdf1.74 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.