Отрывок: XB YPQZ[\]^ . (6) Оператор Лапласа в полярной системе координат записывается в виде [12]: ∆= 1B XXB _B X3XB` + 1B X#3XE#. Решение системы (3) ищем в общем виде [12]: ⎩⎪⎪⎪ ⎨⎪ ⎪⎪⎧3) = a$ +b Bc(dc cos h3 + ic sin h3); T cQ)3# = a$ +b Bc(dc cos h3 + ic sin h3)TcQ) ; 3...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Галанин А. А. | ru |
dc.contributor.author | Филонин О. В. | ru |
dc.contributor.author | Калядин В. П. | ru |
dc.contributor.author | Министерство науки и высшего образования Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.contributor.author | Институт информатики | ru |
dc.contributor.author | математики и электроники | ru |
dc.coverage.spatial | полупроводниковая структура | ru |
dc.coverage.spatial | полупроводники | ru |
dc.coverage.spatial | радиационные дефекты | ru |
dc.coverage.spatial | COMSOL Multiphysics | ru |
dc.coverage.spatial | космическое излучение | ru |
dc.coverage.spatial | газоразрядные камеры | ru |
dc.coverage.spatial | моделирование электрического поля | ru |
dc.creator | Галанин А. А. | ru |
dc.date.issued | 2019 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20191022131734 | ru |
dc.identifier.citation | Галанин, А. А. Моделирование влияния радиационных дефектов в полупроводнике на распределение электрического поля в воздушном зазоре газоразрядной камеры : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.01 "Прикладные математика и физика" (уровень бакалавриата) / А. А. Галанин ; рук. работы О. В. Филонин ; нормоконтролер В. П. Калядин ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, м. - Самара, 2019. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Объектом исследования является полупроводник, подверженныйвлиянию космического излучения.Цель работы – моделирование изменения распределения напряженностиэлектрического поля на поверхности полупроводника, находящегося вовнешнем однородном электрическом поле, в зависимости от наличия илокализации радиационных дефектов, возникших вследствие облучениякосмическим излучением.Использовался математический пакет для моделирования COMSOLMultiphysics версии 5.4. Для создания модели установки использовался модульElectrostatics и Semiconductor. Модуль Electrostatics применялся дляисследования электрического поля, модуль Semiconductor - для созданиямодели транзистора. | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 3,0 Мб) | ru |
dc.title | Моделирование влияния радиационных дефектов в полупроводнике на распределение электрического поля в воздушном зазоре газоразрядной камеры | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.33.29 | ru |
dc.subject.udc | 621.382 | ru |
dc.textpart | XB YPQZ[\]^ . (6) Оператор Лапласа в полярной системе координат записывается в виде [12]: ∆= 1B XXB _B X3XB` + 1B X#3XE#. Решение системы (3) ищем в общем виде [12]: ⎩⎪⎪⎪ ⎨⎪ ⎪⎪⎧3) = a$ +b Bc(dc cos h3 + ic sin h3); T cQ)3# = a$ +b Bc(dc cos h3 + ic sin h3)TcQ) ; 3... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Галанин_Алексей_Артурович_Моделирование_влияния_радиационных_дефектов.pdf | 3.02 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.