Отрывок: В области кремния вследствие сдвига исходного распределения на отрезок d2 - d1 - распределение имеет вид N 2 (x) = Q d i ^ ARp 2 exp ( x + (d2 - d1 ) - R p2 ) 2 2 ( A R p 2 ) 2 Q ^ M p 2 exp xr t \ ARp212d1 + (d1- Rp1 ) A^R- p1 p 2 2 , x > d1 (18) Погрешность аппроксимации распределения во втором слое составляет величину R 2 - R 1p2 p1 ARp2 AR П = p1R (19) p2 —00 —00 16 Если имплантируется структура с кремниевой подложкой противоположного типа проводимости по отношени...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorМакаров И. А.ru
dc.contributor.authorКозлова И. Н.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Россииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatialионная имплантацияru
dc.coverage.spatialионно-имплантированные примесиru
dc.coverage.spatialметод подбора дозru
dc.coverage.spatialметод Монте-Карлоru
dc.coverage.spatialмногослойные структурыru
dc.coverage.spatialлегированиеru
dc.creatorМакаров И. А.ru
dc.date.issued2020ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20210218154403ru
dc.identifier.citationМакаров, И. А. Моделирование профилей распределения ионно-имплантированных примесей в многослойных структурах : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / И. А. Макаров ; рук. работы И. Н. Козлова ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и электроники, Фак-т электроники и приборостроен. - Самара, 2020. - on-lineru
dc.description.abstractВ настоящей работе проводится изучение некоторых методов ионной имплантации примесей в многослойные структуры. Дается обзор принципов технологии имплантации ионов в структуру твердого тела, приводятсянекоторые популярные методы расчета распределения концентрации примеси. В работе также демонстрируются расчеты распределения концентрации имплантированных ионов бора в двух- и трехслойную структуру на основе кремния, полученные по методу Монте-Карло и методуподбора доз.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 0,0 Мб)ru
dc.titleМоделирование профилей распределения ионно-имплантированных примесей в многослойных структурахru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti67.09.05ru
dc.subject.udc620.22ru
dc.textpartВ области кремния вследствие сдвига исходного распределения на отрезок d2 - d1 - распределение имеет вид N 2 (x) = Q d i ^ ARp 2 exp ( x + (d2 - d1 ) - R p2 ) 2 2 ( A R p 2 ) 2 Q ^ M p 2 exp xr t \ ARp212d1 + (d1- Rp1 ) A^R- p1 p 2 2 , x > d1 (18) Погрешность аппроксимации распределения во втором слое составляет величину R 2 - R 1p2 p1 ARp2 AR П = p1R (19) p2 —00 —00 16 Если имплантируется структура с кремниевой подложкой противоположного типа проводимости по отношени...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Макаров_Илья_Андреевич_Моделирование_профилей_распределения_ионно.pdf393.72 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.