Отрывок: После облучения 63Ni, построенное устройство имело 𝑈𝑈хх и 𝐼𝐼кз 11 нА, 0,8 мВ и 2,5 пВт соответственно. Карбид кремния (SiC) представляет собой кристаллическую структуру, состоящую из атомов кремния и углерода. Поскольку атомы Si и C прочно связаны друг с другом, SiC обладает высокой механической, химической и термической стабильностью [42]. Кроме того, он имеет большую ширину запрещенной зоны (2,3–3,3 эВ) по сравнению с кремнием, что позволяет ему выдержив...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorЧиндин Д. В.ru
dc.contributor.authorДолгополов М. В.ru
dc.contributor.authorЧепурнов В. И.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorЕстественнонаучный институтru
dc.coverage.spatialавтономный источник питанияru
dc.coverage.spatialзапрещенная зонаru
dc.coverage.spatialинтерфейсru
dc.coverage.spatialкарбид-кремниевая гетероструктураru
dc.coverage.spatialмоделированиеru
dc.coverage.spatialподвижность носителей зарядаru
dc.coverage.spatialрабочие параметрыru
dc.coverage.spatialрадионуклидыru
dc.coverage.spatialустройстваru
dc.creatorЧиндин Д. В.ru
dc.date.accessioned2023-09-20 10:45:08-
dc.date.available2023-09-20 10:45:08-
dc.date.issued2023ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20230728131632ru
dc.identifier.citationЧиндин, Д. В. Моделирование автономного источника питания на основе кремниевой гетероструктуры : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.04.02 Физика (уровень магистратуры), направленность (профиль) «Физика квантовых систем» / Д. В. Чиндин ; рук. работы М. В. Долгополов ; конс. В. И. Чепурнов ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Ф. - Самара, 2023. - 1 файл (1,4 Мб). - Текст : электронныйru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Modelirovanie-avtonomnogo-istochnika-pitaniya-na-osnove-kremnievoi-geterostruktury-105071-
dc.description.abstractЦель работы: определение параметров энергопреобразователей бета-распада (БВП) на гетероструктурах с карбидом кремния в соответствии с требованиями к техническим характеристикам автономных источников питания различного конструктивного исполнения. Объектом исследования является автономный источник питания на основе карбид-кремниевой гетероструктуры. Используются методы моделирования на основе интерфейса соотношений концентраций легирования и инжекции с механизмами переноса неравновесных носителей заряда, расчет квазиуровней Ферми, технические возможности, идентификация, экстракция и оценки электрофизических параметров бетавольтаического преобразователя. Научная и практическая значимость работы по теме моделирования автономного источника питания на основе карбид-кремниевой гетероструктуры заключается в ее потенциале для продвижения в области устойчивого производства энергии и внесения вклада в разработку эффективных и самоподдерживающихся источников питания. Результаты исследования представляются на основе обзорru
dc.titleМоделирование автономного источника питания на основе кремниевой гетероструктурыru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.01ru
dc.subject.udc53ru
dc.textpartПосле облучения 63Ni, построенное устройство имело 𝑈𝑈хх и 𝐼𝐼кз 11 нА, 0,8 мВ и 2,5 пВт соответственно. Карбид кремния (SiC) представляет собой кристаллическую структуру, состоящую из атомов кремния и углерода. Поскольку атомы Si и C прочно связаны друг с другом, SiC обладает высокой механической, химической и термической стабильностью [42]. Кроме того, он имеет большую ширину запрещенной зоны (2,3–3,3 эВ) по сравнению с кремнием, что позволяет ему выдержив...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Чиндин_Дмитрий_Владимирович_Моделирование_автономного_источника_питания.pdf1.46 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.