Отрывок: Снимки пористого слоя, созданного на текстурированной поверхности кремниевой пластины показаны на рисунке 16. 30 Рисунок 16– РЭМ-снимки пористого слоя, созданного на текстурированной поверхности кремниевой пластины: а) область стыка пирамидок; б) зеркальный поперечный скол пластины. Параметры фотоэлектрических преобразователей, выполненных на основе различных структур, включая структуры с пористым кремнием приведены в табли...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorТанеев В. В.ru
dc.contributor.authorЩербак А. В.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Россииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorЕстественнонаучный институтru
dc.coverage.spatialсолнечные элементыru
dc.coverage.spatialполупроводниковые структурыru
dc.coverage.spatialпористый слойru
dc.coverage.spatialкарбидизация поверхности пористого кремнияru
dc.coverage.spatialфотоэлектрические преобразователиru
dc.coverage.spatialфотоэлектрические процессыru
dc.coverage.spatialгетероструктуры карбид кремнияru
dc.creatorТанеев В. В.ru
dc.date.issued2020ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20201127154653ru
dc.identifier.citationТанеев, В. В. Модель фотоэлектрического преобразователя на основе гетероструктуры карбид кремния на кремнии с пористым слоем карбида кремния : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.04.02 "Физика" (уровень магистратуры) / В. В. Танеев ; рук. работы А. В. Щербак ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак-т, Каф. физики тверд. тела и неравновес. систем. - Самара, 2020. - on-lineru
dc.description.abstractОбъектом исследования являются фотоэлектрическиепреобразователи с пористым слоем.Предметом исследования является эффективность фотоэлектрическихпреобразователей.Цель данной работы: определение влияния слоя пористого карбидакремния на эффективность преобразователей солнечной энергии.В первой главе рассмотрены основные процессы преобразованияэнергии оптического (солнечного) излучения в полупроводниковыхфотоэлектрических преобразователях. Рассмотрены модели физическихявлений, связанных с потерями энергии в фотоэлектрическихпреобразователях.Во второй главе рассмотрены способы получения структур карбидакремния на пористом кремнии для фотоэлектрических преобразователей.Предложен способ получения фотоэлектрического преобразователя спористым слоем карбида кремния на поверхности.В третьей главе представлены результаты экспериментальныхисследований образцов фотопреобразователей с пористым слоем карбидакремния. Определена эффективность исследуемых фотопреобразователей.Результаты данной работы могут бытru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 2,3 Мб)ru
dc.titleМодель фотоэлектрического преобразователя на основе гетероструктуры карбид кремния на кремнии с пористым слоем карбида кремнияru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti44.41.35ru
dc.subject.udc621.383ru
dc.textpartСнимки пористого слоя, созданного на текстурированной поверхности кремниевой пластины показаны на рисунке 16. 30 Рисунок 16– РЭМ-снимки пористого слоя, созданного на текстурированной поверхности кремниевой пластины: а) область стыка пирамидок; б) зеркальный поперечный скол пластины. Параметры фотоэлектрических преобразователей, выполненных на основе различных структур, включая структуры с пористым кремнием приведены в табли...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Танеев_Вадим_Витальевич_Модель_фотоэлектрического_преобразователя.pdf2.33 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.