Отрывок: Следует отметить, что высоты барьеров, обсуждаемые в этой работе, являются эффективными значениями, что означает, что влияние промежуточного слоя (IL) и заряд, захваченный в диэлектрике, включены. 1.2 Влияние режимов работы на величину затворного тока утечки и деградацию параметров МДП – структур и устройств на их основе В работе [9] изучались структуры TiN/Er2O3/Si, полученные при различных условиях отжига. На рис. 13 показаны характеристики плотность тока утечки...
Название : Изменение токов утечки МДП-структур при электрической перегрузке
Авторы/Редакторы : Владимиров Д. А.
Шалимова М. Б.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Естественнонаучный институт
Дата публикации : 2018
Библиографическое описание : Владимиров, Д. А. Изменение токов утечки МДП-структур при электрической перегрузке : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" (уровень бакалавриата) / Д. А. Владимиров ; рук. работы М. Б. Шалимова ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т естественнонауч., Фак-т физ., Каф. радиофизики,. - Самара, 2018. - on-line
Аннотация : Объектом исследования являются устройства на основе МДП структурЦелью работы является классификация основных механизмов прохождения тока через затворный диэлектрик, выявление зависимости тока утечки от технологии изготовления МДП-структур.Проведен анализ влияния электрической перегрузки на деградацию МДП – структур, изменение механизма электропроводности через диэлектрик.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20190423110409
Ключевые слова: затворы
обработка поверхности
МДП-структуры
электрическая перегрузка
токи утечки
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Владимиров_Данил_Андреевич_ИЗМЕНЕНИЕ_ТОКОВ_УТЕЧКИ.pdf1.12 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.